电车核心争夺赛：决胜关键藏在“三电”里
电动车行业的竞争早已跳出“比续航”的浅层阶段，转向“三电系统”核心技术的深度较量——电机驱动效率的突破，正是这场电车核心争夺赛的主战场。
从特斯拉Model 3首次大规模采用碳化硅MOSFET，到比亚迪宣布全面用碳化硅替代传统硅基IGBT芯片，再到理想、小鹏、蔚来等国内新势力扎堆在800V高压平台布局碳化硅模块，全球车企都在为这一核心技术展开激烈角逐。
为何碳化硅能成为竞争焦点？相比传统硅基IGBT，碳化硅的电能损耗更低、耐高温和耐高压性能更优，能让电池的电能更高效地转化为驱动车辆的动力，从根本上优化能量利用效率。
这颗小小的碳化硅芯片，不仅是材料层面的迭代，更直接推动电动汽车实现续航延长、加速性能提升、充电速度加快的全面突破，成为车企在电车核心争夺赛中制胜的关键筹码。
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