ASML指责中国研发光刻机后,哈工大再获突破！美媒：还怎么制裁？ 麻烦看官老爷们右上角点击一下“关注”，既方便您进行讨论和分享，又能给您带来更多优质的内容，感谢您的支持！ ASML 的操作属实有点打脸太快，前阵子还在抱怨中国自研光刻机 “破坏全球市场秩序”，转头哈工大就甩出硬核成果，直接把制裁的剧本给改了。这波攻守转换看得人热血沸腾，哪还有半分被卡脖子的憋屈劲儿。   事情得从 ASML 的迷之指责说起，这家垄断全球高端光刻机的荷兰巨头，一边靠着美国禁令卡中国脖子，一边又怕中国真的搞出自主技术。之前高管还嘴硬 “给图纸都造不出”，现在却急着跳出来批评中国研发，说白了就是怕自己的垄断蛋糕被抢走。毕竟中国市场太重要了，全球芯片行业衰退时，只有中国还在保持扩张，ASML 哪舍得真丢了这块肥肉。   就在 ASML 忙着打嘴仗的时候，哈工大悄悄拿出了关键突破 —— 高速超精密激光干涉仪技术。别小看这玩意儿，它可是光刻机的 “眼睛和神经”，能直接决定设备的系统稳定性和精度，不仅能帮 28 纳米光刻机加快量产，更是未来 EUV 光刻机的核心技术基础。这一下等于直接补上了国产光刻机整合环节的关键短板，难怪美媒看完直呼 “制裁没用了”。   更解气的是，这可不是孤例，中国的光刻机突破早成了 “组团发力” 的态势。上海微电子今年 5 月已经交付了 28 纳米浸没式光刻机，送样给中芯国际测试，预计很快就能量产，单台成本还比 ASML 同级别产品低 40%。杭州璞璘科技更狠，搞出纳米压印光刻设备，不用昂贵激光光源就能实现 10 纳米级制程，直接开辟了低成本突破路径。   ASML 的焦虑不是没道理，以前靠美国禁令能卡住 14 纳米以下设备的脖子，现在中国硬是靠 DUV 多重曝光技术摸到了 7 纳米门槛，还顺带把成熟制程的设备自给率提了上来。2024 年中国大陆半导体设备市场里，本土设备占比首次超过 50%，清洗、去胶设备国产化率都超 70% 了，刻蚀设备也达到 40% 到 60%，这架势明显是全方位破局。   美国之前搞的制裁套路现在看全成了 “反向催化剂”。本来 ASML 还想靠卖 38 纳米的旧设备赚差价，没想到中国直接拿出 28 纳米新设备；这边刚断了光刻机配件供应，那边佳鼎半导体、东方嘉盛就搞出了自主维修体系，不用荷兰技术也能修设备。比尔盖茨早说过制裁挡不住中国研发芯片，现在看来真是一语中的。   最讽刺的是 ASML 的双重标准，自己靠全球 500 多家供应商攒出 EUV 光刻机，却见不得中国搞自主研发。之前中芯国际花 1.2 亿美元订的 EUV 被美国搅黄了交付，现在中国靠自己一步步追上来，它倒急着喊 “不公平” 了。合着只许它垄断赚钱，不许别人搞技术自主？这逻辑也是没谁了。   现在哈工大的突破只是开始，工信部和中科院都牵头成立了 “华夏之光项目处”，拉着清华、上海微电子、中芯国际这些巨头搞协同攻关，目标明确要在 3 到 5 年内实现大规模应用。从实验室到生产线，从零部件到整机，这条自主化道路虽然难走，但每一步都走得扎实。   美媒那句 “还怎么制裁” 问得实在精辟。当中国能自己造出 28 纳米光刻机，能自主维修旧设备，还在 EUV 核心技术上稳步突破时，单纯的技术封锁已经失了效。ASML 要是真聪明，与其指责中国研发，不如想想怎么保住自己的市场份额，毕竟靠制裁挡路的日子，看来是真的要到头了。