我看这次mate80搭载的9030芯片，是DUV光刻机的N+3工艺（N是指14纳米），工艺制程约6纳米（5.6多些，约6），对外宣传是7纳米。实际等效于台积电的早期5纳米或三星的早期4纳米，这已经是极限压榨了DUV光刻机的性能。这虽然没有国产EUV光刻机生产振奋人心，但也很了不起了，大大拉近了与苹果高通三星顶级芯片的距离，也算是当前国产芯片的顶峰了！
我看这次mate80搭载的9030芯片，是DUV光刻机的N+3工艺（N是指14纳米），工艺制程约6纳米（5.6多些，约6），对外宣传是7纳米。实际等效于台积电的早期5纳米或三星的早期4纳米，这已经是极限压榨了DUV光刻机的性能。这虽然没有国产EUV光刻机生产振奋人心，但也很了不起了，大大拉近了与苹果高通三星顶级芯片的距离，也算是当前国产芯片的顶峰了！
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