“光刻机没有一个国家可以做得到，美国都造不出，中国根本做不到！”“中国永远都造不出光刻机？”去年，中国物理学教授朱士尧在一次采访中直言：“美国都造不出，中国永远也造不出来！”甚至认为世界上没有一个国家能造出光刻机。 首先得说，世界上根本没有哪个国家能凭一己之力造出光刻机，哪怕是荷兰的ASML，看似垄断了高端光刻机市场，实则是全球顶尖技术的“组装者”。一台ASML的极紫外光刻机（EUV）重180吨，包含超过10万个精密零件，这些零件来自全球5000多家供应商，核心技术分散在多个国家，没有任何一个国家能集齐所有关键能力。比如光刻机的“心脏”光源系统，得用激光脉冲轰击锡滴产生极紫外光，每秒要轰击5万次，功率还得达到250瓦以上才能商用，这套技术来自美国的Cymer公司，ASML为了牢牢掌控，花25亿美元把这家公司整个收购，而全球能稳定供应这种高功率激光的，只有德国的通快集团，还签了排他性协议，不卖给其他任何企业。再看最关键的光学反射镜，极紫外光无法穿透普通镜片，只能靠反射镜聚焦，这种镜子要在钼和硅上交替镀几十层纳米薄膜，表面粗糙度控制在0.1纳米以内，相当于原子级别的精度，全世界只有德国的蔡司公司能造，ASML为了绑定合作，特意拿出10亿欧元买下蔡司半导体光学子公司近四分之一的股份，即便这样，蔡司也绝不会把顶尖镜片卖给其他企业。就连承载硅片的双工件台，里面的精密马达、传感器，也都来自德国的顶级供应商，ASML自己做的只是系统集成，原创的核心技术占比还不到一成，可见单一国家根本无力覆盖所有环节。 再看美国，作为光刻技术的发明国，当年最先造出了第一台光刻机，也曾有过GCA、珀金埃尔默这样的行业巨头，可如今却彻底退出了光刻机自主研发的赛道，根本造不出完整的光刻机。上世纪80年代，美国的GCA公司占据了60%以上的光刻机市场，珀金埃尔默更是70年代的行业霸主，但这些企业要么管理层傲慢自大，忽视客户需求，要么找不到合格的核心部件供应商，比如GCA的镜头供应商无法提供高精度产品，最终被日本企业和ASML逐步蚕食市场。到2001年，美国最后一家光刻机企业被ASML全资收购，从此美国再也没有自主研发光刻机的能力。现在美国看似在光刻机领域有话语权，其实是靠资本注入控制了ASML的部分股权，靠提供光源技术参与其中，并非自己能独立制造。有数据显示，美国虽然能造出光刻机的部分核心部件，但缺少德国的精密光学技术和机械工艺，也没有全球协同的供应链，就算集全国之力，也无法复刻出一台完整的EUV光刻机，这就是朱士尧教授说“美国都造不出”的根本原因。 中国目前的情况，比美国还要艰难，想要造出光刻机更是难如登天。中国的光刻机研发从上世纪70年代就起步了，现在最领先的上海微电子，直到2023年才推出能量产90纳米制程的干式DUV光刻机，2024年才开始测试28纳米的浸没式DUV，而ASML的EUV早就实现了2纳米制程的商用，两者差距至少有二十年。更关键的是，就算是上海微电子的28纳米光刻机，也不是完全自主研发，核心部件依然依赖进口，比如光源系统还达不到商用EUV需要的高功率，稳定性更是短板，反射镜的粗糙度只能控制在1纳米以上，导致光线散射率超过50%，根本满足不了高端光刻的需求。在EUV光刻机最关键的几个环节，中国至今没有实质性突破：用于产生极紫外光的种子光源技术被美国封锁，无法获取；EUV专用的金属氧化物光刻胶，国内还没实现实验室合成；高精度真空机械手、核心计量设备等，也都在禁运名单里。虽然有300多家中国企业参与先进光刻研发，2025年也有了EUV原型机进入试产，但良率只有4.5%，效率远低于ASML的商用标准，而且一台EUV需要的10万多个零件，国内供应链根本无法全部支撑，很多基础材料比如高端轴承钢，纯度要求氧含量控制在8ppm以内，国产目前还达不到这个标准。 更现实的是，光刻机行业有厚厚的专利墙，ASML和其背后的美国、德国企业垄断了绝大多数核心专利，中国企业想要绕开几乎不可能。ASML为了研发EUV，花了17年时间，投入超过200亿美元，还拉来英特尔、三星、台积电注资50多亿欧元，才打通了全球供应链，而中国企业每年的研发经费不足5亿美元，差距悬殊。而且芯片制造是个完整的生态，光刻机需要和光刻胶、EDA设计软件、晶圆材料等配套协同，中国在这些配套领域的国产化率都很低，比如EDA软件的国产化率只有12%左右，高端光刻胶的良品率不足60%，就算某天造出了光刻机，也很难形成量产能力。