💾全球存储技术 —— 投资者反馈分化，现货价格强劲，海力士催化因素与风险 📊亚洲投资者反馈呈现分化 🤝在新加坡和香港与投资者交流发现，买方分析师普遍看多存储板块，但多数资深投资组合经理对周期性下行表示担忧。 ⚠️美银证券指出五大风险点：1）DRAM 现货价格异常高企（较 2000-2024 年峰值高出 3-4 倍）；2）市场共识偏向乐观（卖方研报、债务融资层面）；3）存储股市值或市净率处于历史高位。不过，美银证券仍预计 2026-2027 年行业盈利将再创历史新高，核心驱动因素包括： 📈合约价格仍低于 10 美元，即便现货价格下跌 50% 以上，仍有近 50% 的上涨空间； 🚀高带宽存储器订单强劲、利润率高，受英伟达、美国科技巨头及主权人工智能需求支撑，降价空间有限； 📝更多原始设备制造商愿以较 2025 年第四季度高 30-50% 的价格锁定 2026 年甚至 2027-2028 年存储芯片供应； 🏭主流存储厂商晶圆产能仅个位数增长，洁净室空间有限； 🇨🇳中国存储行业资本开支高、产能规划大，但 2025 年第四季度 DRAM/NAND 实际产量仅占全球低个位数，多数资本开支用于基础设施或现有工厂升级，而非新建产能。 💡美银证券认为，除市场共识预期过高（如 2026 年海力士 / 三星营业利润预期达 10 万亿韩元左右，美银预测为 6.5 万亿韩元）外，行业盈利不及预期的幅度不会过大。 📈现货价格虽存泡沫担忧但依旧强劲 🛒由于韩国芯片厂商大幅削减传统 / 通用 DDR4/DDR5 供应（产能转向 LPDDR5/GDDR7 / 高带宽存储器），这类产品目前主要通过季度固定合约供应，部分存储模组厂商和二线原始设备制造商仍在现货市场采购 DRAM。 💸当前基于现货价格的 DRAM 占个人电脑或智能手机物料清单成本的 50% 以上（正常水平低于 10%），导致交易量偏低，但因现货需求大于供应，本周价格仍上涨约 5%（较一个月前涨幅超 100%）。 📈NAND 现货价格涨幅更为显著，铠侠 2025 年第三季度大幅去库存（比特量环比增长 30% 以上），且韩国芯片厂商新制程迁移进度缓慢（200-300 层晶圆产出极少），1Tb/512Gb/256Gb NAND 价格上涨 15% 以上。 🔍美银证券表示，尽管市场担忧泡沫，但目前尚未看到现货价格立即回调的信号，渠道调研显示未来 2-3 周 DRAM 和 NAND 现货价格或再涨 10% 以上，因原始设备制造商补库意愿强烈，而供应较 2025 年第三季度趋紧。