AIPress.com.cn报道

12月22日消息，据韩国《每日经济新闻》报道，三星电子在下一代高带宽内存（HBM4）领域取得了里程碑式的突破，成功扭转了此前在HBM3E世代的被动局面。

在针对英伟达（Nvidia）即将推出的VeraRubin系列AI加速器的性能测试中，三星HBM4在传输速度与能效比上均表现出色。英伟达代表在上周实地考察时确认，三星提交的测试结果是“存储行业内的最佳成绩”，并因此提出了远超三星内部预期的供货需求量。

三星此次“绝地反击”的核心在于其激进的技术跨越：公司果断放弃了中间的D1bDRAM工艺，直接“跳级”研发10纳米级D1c工艺。通过将这一尖端内存芯片与基于4纳米代工工艺制造的逻辑层（LogicDie）相结合，三星成为全球首家实现数据传输速率超过11Gbps的存储厂商。

尽管竞争对手SK海力士在量产进度上仍保持约三个月的领先优势，但三星已成功将此前长达一年的技术代差大幅收窄。

市场数据清晰记录了三星的强势回归。2025年第三季度，三星以22%的市场份额超越美光（Micron），重新夺回HBM市场全球第二的宝座。

据悉，双方预计将在2026年第一季度正式签署供货合同，并在第二季度开启大规模交付，以确保英伟达VeraRubin平台能在2026年第三季度如期发布。这一进展标志着三星在全球AI存储竞赛中已重新回到核心领跑阵营。（AI普瑞斯编译）