台积电2nm量产，2D材料的突破，GAAFET硅基瓶颈的A股有机会，

随着GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）技术迈向2nm节点，传统的硅（Si）沟道材料在物理极限面前正面临严峻挑战。
GAAFET通过将栅极包裹在沟道周围，解决了FinFET在微缩过程中的漏电问题。然而，当制程逼近1nm以下时，硅材料的物理极限（如短沟道效应、界面散射）将成为瓶颈。2D材料凭借其独特的原子级厚度和优异的电学性能，被视为突破这一瓶颈的关键。

复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室团队： 2025年4月2日，其团队成功研制出全球首款基于二维半导体材料（MoS₂）的32位RISC-V架构微处理器“无极（WUJI）”，集成了5900个晶体管，创造了当时二维逻辑芯片的最大规模集成纪录。

北京大学团队：
2025年2月14日，北京大学团队在《自然-材料》发表成果，制造出基于二维材料Bi₂O₂Se的GAAFET晶体管，性能比英特尔和台积电的最新3nm芯片快40%，能耗低10%。

2D材料与设备：
德尔未来 (002631):
子公司烯成石墨烯拥有二硫化钼（MoS₂）制备设备，产品毛利率超20%，是国产二维材料研发的重要力量。
北方华创 (002371):
国内半导体设备龙头，其刻蚀机和ALD设备已具备原子级精度控制能力，为2D材料加工提供关键设备支持。
中微公司 (688012):
5nm刻蚀机已通过台积电验证，其ALE技术达到原子级精度，是2D材料低损伤加工的关键设备供应商。
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