存存储:预计 2026 年 Q1将为 存储价格增长率最高季度 核心驱动因素: 1.2026年1月2日，美国存储半导体股票大幅上涨 美光科技(MicronTechnology):+10.51%，创历史新高 闪迪(SanDisk):+15.95%0 西部数据(Western Digital):+8.96% 2.2026年1月5日盘后，市场消息称三星电子与 SK海力士 计划将服务器 DRAM(DDR4/DDR5、CXL、HBM)价格上调，最高可达 70%。最高涨幅预期: 根据 TrendForce 数据，2026年 Q1 预计将出现最强劲的存储价格上涨 通用型 DRAM:环比+55%至+60% PC DRAM:+50%至+55% 服务器 DRAM:+60%至+65% 移动 DRAM:+45%至+50% NAND:+33%至+38% LPDDR5:+45%至+50%(以上均高于此前预测) 服务器 DRAM: 包括 DDR4/DDR5、CXL及 HBM，当前市场份额如下 三星电子:约 45%-50% SK海力士:约 30%(为英伟达独家 HBM 供应商) 美光科技:约 20%-25%(已获得英伟达认证的 HBM3e)