国产光刻胶技术太牛啦！
近期实现重要突破，成功研制出
可用于28纳米及以上制程的
ArF光刻胶，并已在部分晶圆厂
验证通过。

这一进展打破了国外长期垄断，
为芯片制造关键材料自主化
奠定基础。

南大光电、上海新阳等企业
持续攻坚，在分辨率、
敏感度、线宽粗糙度等核心
指标上追赶国际先进水平。

产业链上下游协同创新，
正加速向更高端制程迈进。

突破“卡脖子”环节，
彰显中国半导体材料
领域的创新韧性与决心，
为保障产业链安全
提供有力支撑。光刻胶 中企光刻机 极紫外光刻技术