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长电科技 先进封装技术国内第一、全球前三,覆盖Chiplet、2.5D/3D

长电科技 先进封装技术国内第一、全球前三,覆盖Chiplet、2.5D/3D、HBM、CoWoS、CPO等前沿方向,已实现4nm量产与高附加值场景落地,技术与产能双壁垒突出。一、核心技术矩阵与能力- XDFOI Chiplet:自主高密度异构集成平台,支持4nm/1500mm²多芯片集成,良率99.5%,用于HPC/AI,绑定英伟达、AMD等头部客户。- 2.5D/3D封装:掌握硅中介层、TSV/混合键合,已量产HBM3E(SK海力士独家封测),全球份额约20%,良率98.5%。- 晶圆级封装(WLP/eWLB):12寸eWLB量产,支持超薄/六面保护,500+专利,用于射频/存储/处理器 。- CoWoS:产能从500片/月扩至2025年底1000片/月,2026年底目标3000片/月,瞄准AI/GPU高带宽需求。- CPO:800G光模块封装中试完成,预计2026年量产,解决高速互连功耗/延迟瓶颈。- SiP/异构集成:双面成型、LAB激光键合、EMI屏蔽,支持>100×100mm封装,用于汽车雷达AiP、射频前端 。二、技术壁垒与行业地位- 量产与良率:XDFOI、HBM3E、eWLB等稳定量产,良率达国际一流水平,成本与交付优势显著。- 客户与场景:国际巨头复购率超90%,覆盖SK海力士、英伟达、AMD等;国内绑定长江存储、长鑫存储。- 专利与研发:累计专利超1.2万项,2025前三季度研发15.4亿元(+24.7%),聚焦先进封装与车规级应用。- 产能布局:临港车规级基地投产,江阴微系统集成扩产,2025先进封装产能同比+80%。三、对比与短板- 优势:国内唯一具备Chiplet+2.5D/3D+HBM+CoWoS全栈能力的OSAT,AI/汽车电子等高附加值业务占比超50%。- 差距:CoWoS产能规模与良率仍落后台积电/日月光;高端设备/材料依赖进口,爬坡期折旧压制短期利润。四、发展节奏- 短期(1-2年):HBM3E、CPO、临港车规产能释放,毛利率有望回升至18%-20%。- 中长期(3-5年):先进封装占比提升,汽车电子目标15%,国产替代与存储封测整合加速。