内存正在被AI“吃光”：史无前例的缺货，可能拖到2027年过去一年，存储芯片的紧张程度明显升级，到了最近一个季度甚至出现加速恶化的迹象。美光的判断很明确：这轮供需失衡不像传统周期那样几个月就能缓过去，紧张局面大概率会延续到2027年前后，核心推手来自AI基础设施对高端存储的持续吞噬。这轮缺货的“引爆点”是高带宽内存HBM。AI加速器对HBM的需求极其旺盛，而HBM背后又占用大量DRAM相关的产能与工艺资源，结果就是高端需求在上游形成强力虹吸，挤压了手机、PC等传统终端本就有限的可用供给。更关键的是，传统客户并没有因为缺货就消失，反而开始更早、更长周期地锁定未来供货，排队从2026年以后就已经开始。这种提前锁单的行为，会进一步加固紧张格局，让市场更难“自然松动”。需求端的扩散也在加速。手机与PC之外，自动驾驶与人形机器人等新场景被视为下一阶段增量来源，它们对存储容量、带宽与可靠性的要求更高，意味着未来的新增需求不只在量上扩大，也会在结构上向更高端、更稀缺的产品集中。与此同时，成本端压力已经开始向下游传导：有观点提到，内存价格走高正在影响部分手机厂商对2026年出货目标的预期；研究机构也曾预计，存储紧张推升成本并压缩生产空间，可能对全球智能手机出货形成一定拖累，PC厂商同样担忧供应约束会波及自身节奏。供给端方面，存储三巨头在AI热潮中业绩与股价受益明显，但产能扩张的时间尺度决定了短缺难以快速化解。以美光为例，它一边强调今年面向AI的内存产品已被预订，一边加快在美国和亚洲的制造布局：在纽约州锡拉丘兹附近启动了总额高达千亿美元级别的生产基地项目，规划四座DRAM晶圆厂，首批晶圆预计要到2030年前后才能下线；在爱达荷州博伊西周边，美光也在现有研发设施旁推进新增晶圆厂，第一家计划于2027年投产，第二家仍在规划；同时还对弗吉尼亚州的既有制造设施进行现代化与扩建。为了缩短新增供给落地的时间，美光还计划在中国台湾地区购置带有现成厂房的场地，并预计在2027年下半年开始形成具有实质意义的DRAM晶圆产出。这背后还有一条更深的主线：AI时代的存储，不再只是配角。DRAM既是CPU/GPU等处理器进行计算的运行环境，也是HBM等高带宽方案的底座。AI算力越往上堆，带宽瓶颈越突出，对存储的要求就越苛刻，行业的投资优先级也随之上调。为了优先满足英伟达等战略客户的供货，美光甚至对消费级内存业务做了收缩动作，把更多资源向高价值、高确定性的企业级与AI方向倾斜。站在产业链视角，这种资源再分配会让供给更集中在高端，进一步拉大传统消费市场的供需缺口。地域与政策因素同样在改变供给版图。美光提出将40%的DRAM制造转移到美国本土的目标，离不开《芯片法案》资金支持与税收抵免等激励。换句话说，产能扩张不仅是企业的资本开支决策，也越来越像一场供应链重构工程：厂建、设备导入、良率爬坡、工艺迭代，每一环都需要时间。即便投入规模巨大，真正能缓解缺货的有效供给仍要等到2027年甚至更晚才会逐步体现。对于市场而言，逻辑可以归结为三点：第一，AI对HBM与高端DRAM的需求具有持续性，短期很难降温；第二，下游提前锁单会把紧张状态“固化”，让短缺从一年问题变成多年问题；第三，新增产能在时间轴上偏长，供给改善更可能是缓慢兑现。若这些条件不发生显著变化，存储芯片的供需紧张与价格弹性，很可能会贯穿未来几个关键年度，成为AI产业链里最容易被忽视、却最难被绕开的核心变量。