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TaN(氮化钽)不会替代铜或银。它在芯片里主要是做**“阻挡层/衬垫层(diff

TaN(氮化钽)不会替代铜或银。它在芯片里主要是做**“阻挡层/衬垫层(diffusion barrier/liner)”或薄膜电阻材料**,目的是防止铜扩散、提升可靠性,而不是承担“导电互连主体”这个角色。