阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，中国几乎不能造出来3-5nm工艺，同时表示断供EUV，就是为了防止中国获得先进技术。 当下中国主流光刻设备还停留在深紫外（DUV）阶段，上海微电子推出的机型主要聚焦90纳米工艺，虽在全力推进28纳米浸没式DUV光刻机，且已完成多轮工艺验证、国产化率突破85%，但这与阿斯麦的EUV极紫外光刻机相比，依旧不在一个赛道上，差距从核心部件到整体性能都一目了然。 先看最关键的光源技术，这是光刻机的“心脏”，直接决定光刻精度。 阿斯麦为攻克EUV光源难题，从2000年代就砸下数百亿欧元，联合全球顶尖企业协同攻关，最终采用锡滴激光激发技术，能实现每秒上万次脉冲，光源转换效率稳定在个位数百分比，看似不高，却已是当前人类工业能力的极限。 而中国在极紫外光源领域的突破才刚起步，上海微电子推进的相关技术，光源功率仅为阿斯麦EUV的几分之一，脉冲频率和稳定性更是差距明显，这就好比人家用高精度激光笔精准刻画，咱们还在调试普通手电筒的亮度，根本达不到3-5nm工艺所需的曝光精度。 光学精度的差距更是难以逾越，EUV光刻机需要超精密镜面来传导极紫外光，镜面光滑度要达到原子级精度，也就是纳米以下级别，稍有瑕疵就会造成光损失，影响芯片图案的精准度。 阿斯麦的EUV光刻机搭载的光学镜头由蔡司独家供应，蔡司深耕该领域数十年，通过反复迭代镜面涂层技术，将光损失降到最低，这也是阿斯麦能垄断EUV市场的关键底气之一。 而中国在高端光学镜头领域的积累不足，所生产的镜头在精度上比阿斯麦差一个数量级，即便勉强搭配光源使用，也无法完成3-5nm芯片所需的精细曝光，相当于用模糊的放大镜画画，根本画不出精细的线条。 再看先进制程的实际应用，3-5nm工艺对光刻设备的要求严苛到极致，目前全球能量产3nm芯片的只有台积电和三星，而这两家企业无一例外都依赖阿斯麦的EUV光刻机。 台积电的3nm工艺良率已达80%，苹果M3芯片早已提前预订其产能，背后正是阿斯麦EUV光刻机的稳定支撑；三星能抢先量产3nm芯片、推进2nm研发，也离不开从阿斯麦引进的十多台EUV光刻机。 反观中国，目前主流企业仍用DUV光刻机处理90nm及以上工艺，即便通过多重曝光技术勉强向28nm及以下制程突破，不仅流程繁琐、成本翻倍，良率也难以保障，更别说规模化量产3-5nm芯片。 阿斯麦的领先绝非偶然，除了自身数十年的技术沉淀，更离不开全球顶尖供应链的加持，除了蔡司的光学镜头，还联合赛默等企业解决了检测、零部件稳定性等一系列难题，前后投入数百亿欧元，耗时近二十年才实现EUV的批量交付。 而中国光刻机研发起步较晚，不仅核心技术面临瓶颈，供应链也缺乏全球顶尖企业的协同，即便上海微电子等企业不断突破，也只能在中低端制程发力，短期内难以撼动阿斯麦在EUV领域的垄断地位。 彼得·温宁克说断供EUV是为了防止中国获得先进技术，这话虽直白，却也点出了核心——EUV就是先进芯片制程的“命脉”，没有它，中国企业想规模化量产3-5nm芯片几乎是天方夜谭。 中国光刻机与国际前沿的10-15年差距，不只是单一设备的差距，更是技术积累、供应链整合、研发投入的全方位差距，这种差距不是靠短期冲刺就能弥补的，毕竟阿斯麦的垄断壁垒，是靠金钱、时间和全球资源堆出来的，咱们想追赶，还得一步一个脚印慢慢打磨。 信息源——中国经济网