【英特尔计划复活内存业务】据最新消息，英特尔将与软银旗下子公司Saimemory达成深度合作，联合开发名为ZAM的下一代内存新技术，其单芯片最高容量可达512GB，有望重塑AI时代全球内存市场的竞争格局。 ZAM内存技术的核心竞争力源于其创新性的架构设计。不同于传统内存的垂直布线模式，该技术采用交错互连拓扑结构，以对角线“Z字形”布线优化芯片堆叠布局，搭配铜-铜混合键合技术实现层间高效融合，最终形成类似单片芯片的一体化硅块结构。同时，ZAM技术采用无电容设计，通过Intel成熟的EMIB技术实现与AI芯片的高速高效连接，既简化了制造工艺流程，又能有效提升存储密度、降低芯片热阻。 相较于当前AI领域主流的HBM内存，ZAM技术的优势十分突出。其单芯片最高容量可达512GB，大幅超越当前主流HBM产品。功耗降低40%-50%，可精准解决AI数据中心能耗高企的行业痛点。而Z形互连设计更能简化制造流程，为后续规模化量产奠定基础。