我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料2007年，她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士，面对记者采访，她淡然表示：感谢祖国的栽培！ 李爱珍1936年出生在福建石狮一个华侨家庭，1958年从复旦大学化学系毕业后进入中国科学院上海冶金研究所（现上海微系统与信息技术研究所）。她一生专注半导体材料研究，从单晶生长到薄膜制备，再到前沿纳米结构，始终扎根实验室。 上世纪60年代，她主要从事锑化铟单晶和高迁移率材料研究。70年代转向液相外延和气相外延技术，制备砷化镓薄膜，推动成果应用于微波器件和发光二极管。80年代初，国家急需突破半导体技术瓶颈，她主动转向分子束外延领域。这项技术当时被西方高度垄断，只有少数实验室掌握核心工艺。 1980年，她公派到美国卡内基梅隆大学进修，师从国际知名专家，系统掌握超晶格、量子阱等生长方法。1982年回国后，她立刻组建团队，研制国产分子束外延设备。面对进口设备封锁，她带领大家从零起步，用国产零件组装出第一台设备。1984年，他们用自制设备生长出高质量材料，并在国际会议上报告成果。这一工作有助于缓解西方对我国相关设备的出口限制。 90年代，她敏锐抓住量子级联激光器机遇。贝尔实验室1994年公布这项发明后，她迅速组织攻关。团队采用气态源分子束外延，优化多量子阱结构。2000年前后，成功制备出5至8微米波段材料。中国成为亚洲首个、全球极少数掌握该技术的国家。贝尔实验室前副总裁卓以和对她的工作给予高度评价。 李爱珍的科研成果还包括多项国家发明专利和科技进步奖。她参与创建信息功能材料国家重点实验室，长期担任863计划相关专题负责人。她的工作为我国化合物半导体低维结构从无到有奠定基础，也为红外探测、医疗仪器等领域提供战略支撑。 从1999年起，李爱珍先后四次申报中国科学院院士（包括2001年、2003年、2005年）。按照当时规定，60岁以上申请人需六位院士联名推荐。她平时专注实验，学术圈子相对较窄，第一次仅获一位推荐，初审即被退回。 后来几次，她努力参加会议扩大联系，争取到更多联署。但评审中，专家组常强调重大工程应用和快速转化，她的量子级联激光器等基础研究虽前沿，却因周期较长、短期产业化难度大，未能进入最终环节。四次努力，都止步评审过程。 与国内形成对比的是国际认可。2004年，她获第三世界科学院工程科学奖，成为首位获此殊荣的中国科学家。2007年5月1日，美国国家科学院公布新增外籍院士名单，李爱珍位列其中。 她成为当时11位外籍院士中唯一的女性，也是改革开放后首位未当选国内院士却获此荣誉的中国科学家。评选基于纯学术影响力，委员会收到全球37位顶尖材料学家推荐信，包括四位诺贝尔奖得主。评语肯定她把亚洲半导体红外材料研究推向世界前沿，打破贝尔实验室在量子级联激光器领域的垄断。 当选消息传来时，她正在实验室工作。记者采访中，她平静回应：感谢祖国的栽培。她强调，没有国家提供的实验平台、经费支持和团队条件，就不会有这些成绩。国家批准的进口设备清单、实验室升级资金、重点实验室建设，都为她的工作打下基础。 当选后，李爱珍没有离开岗位。她继续在上海微系统所深耕。退休后仍每周到实验室，指导团队攻关太赫兹量子级联激光器。经过持续努力，我国成为全球第三个掌握该技术的国家。她早年碳化硅材料相关技术，也在新能源汽车功率器件和5G通信中发挥作用，支持高端芯片自主可控。 她把奖金和奖励资金大多用于添置学生实验仪器。多年来，她培养出多名化合物半导体方向博士，团队在分子束外延和中红外激光器领域保持国际竞争力。李爱珍用实际行动证明，基础研究需要长期积累，国家科技自立自强离不开一代代科研人的坚守。