氧化镓：第四代半导体的“性价比之王”，核心性能如下：

1. 禁带宽度4.9eV、击穿场强8 MV/cm，远高于SiC（3.2eV/3MV/cm）和GaN（3.4eV/3.3MV/cm）；巴利加优值突出，功率损耗显著低于前三代，相同耐压下器件尺寸更小、功率密度更高。

2. 最大亮点是低成本熔体法（导模、VB法）生长单晶，无需SiC那样的高温高压设备，衬底成本显著低于SiC/GaN（有数据称SiC的1/5、GaN的1/3），大尺寸化进展快（国内已突破8英寸单晶）。

一、上游：高纯镓/原料

蓝晓科技（300487）：高纯镓提取龙头，拜耳母液提镓，纯度4N+；布局2英寸氧化镓衬底量产。

南大光电（300346）：MO源龙头，三甲基镓是氧化镓外延关键原料；与南大合作氧化镓异质结器件。

福达合金（603045）：主营金属镓销售，上游原料受益。

中国铝业（601600）：原生镓产能全球第一，粗镓+高纯镓供应。

二、中游：衬底/外延/材料

三安光电（600703）：化合物半导体龙头；湖南三安布局氧化镓衬底、外延、功率器件；已研4英寸、攻关6英寸。

衢州发展（600208，原新湖中宝）：参股富加镓业（约17.6%–22.2%）；富加镓业做氧化镓单晶/外延，已实现6英寸衬底。

北京科锐（002350）：参股北京铭镓半导体（4.59%）；铭镓专注氧化镓衬底，单晶尺寸领先。

中瓷电子（003031）：中电科旗下，国内首家4英寸氧化镓单晶制备。

三、设备/其他

北方华创（002371）：半导体设备龙头，布局氧化镓长晶、外延设备。

中微公司（688012）：MOCVD设备，适配氧化镓外延工艺。