IT之家3月17日消息，在今天凌晨进行的英伟达GPU技术大会（GTC）中，美光宣布旗下多款存储产品已同步进入大规模量产阶段，这些产品均围绕英伟达VeraRubin平台设计。

美光表示，其HBM4产线已于今年第一季度开始量产并出货，首批产品为36GB的12层堆叠（12-high）版本，专为VeraRubin平台打造。该产品的引脚速率超过11Gb/s，可提供超过2.8TB/s的内存带宽，相比上一代HBM3E提升约2.3倍，同时功耗效率提升超过20%。

此外，美光还透露公司目前已向客户提供了16层堆叠（16-high）48GBHBM4的早期样品。与12层版本相比，该型号单颗容量提升33%，能够进一步提升单个HBM位置的可用内存容量。

美光同时宣布其SOCAMM2内存模块已进入大规模量产阶段，其中192GB容量版本将用于VeraRubinNVL72系统以及独立的VeraCPU平台。该模块可为单颗CPU提供最高2TB的内存容量和1.2TB/s的带宽。整个SOCAMM2产品线容量范围覆盖48GB至256GB，以满足不同规模的AI服务器配置需求。

在存储产品方面，美光宣布其Micron9650SSD已正式量产，这款数据中心固态硬盘采用PCIeGen6接口，是业内首款专门针对英伟达BlueField‑4STX架构优化设计的SSD。

具体规格方面，Micron9650的顺序读取速度最高可达28GB/s，随机读取性能可达到550万IOPS，相比上一代PCIeGen5SSD的读取性能几乎翻倍。同时，其单位功耗性能（performance-per-watt）也实现了约两倍提升。