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我国顶尖半导体教授李爱珍,申请中科院院士被淘汰,不料2007年,她竟然摇身一变成

我国顶尖半导体教授李爱珍,申请中科院院士被淘汰,不料2007年,她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士,面对记者采访,她淡然表示:感谢祖国的栽培! 李爱珍1936年5月出生于福建省石狮市永宁镇港边村一个华侨家庭。1958年,她从复旦大学化学系毕业,分配到中国科学院上海冶金研究所(后更名为上海微系统与信息技术研究所),从研究实习员起步,一步步做到研究员。她一生从事半导体材料研究超过五十年,早年主要涉及单晶材料和薄膜材料,70年代转向化合物半导体领域,为后来更前沿的工作打下基础。 1980年,44岁的李爱珍获得公派机会,到美国卡内基梅隆大学电子工程系做访问学者。她师从国际半导体权威米尔纳斯,专攻分子束外延技术,学习生长超晶格、量子阱和异质结等人工合成超薄层纳米材料。这项技术当时对中国实行严格禁运,是西方国家对中国半导体领域的重要封锁手段之一。她在美国期间认真钻研,两年后按期回国,没有选择留下。 回国后不久,李爱珍参与国产分子束外延设备的研制工作。她与同事一起到沈阳科学仪器厂合作改造和设计设备,那段时间条件比较艰苦,但大家坚持下来。1989年,国产分子束外延设备通过验收,技术水平有了明显进步。这项工作帮助中国打破了部分技术限制,推动了后续研究。1984年,她在国际分子束外延会议上报告了用国产设备生长的材料和器件应用结果,得到与会者关注。 1995年起,已近花甲之年的李爱珍带领课题组,开始探索中远红外量子级联激光器领域。这项技术对国防、医疗、环保等领域有重要意义。1994年,美国贝尔实验室率先实现量子级联激光器突破,李爱珍团队独立开展相关研究,采用气态源分子束外延等方法,控制原子层级生长。   2000年前后,团队成功研制出5至8微米波段半导体量子级联激光器,实现了亚洲范围内的零的突破。中国由此进入掌握这一先进技术的少数国家行列。卓以和等国际专家曾评价,这项独立成果对中国而言意义重大。 李爱珍参与创建了中国科学院信息功能材料国家重点实验室,担任过半导体材料研究室主任、信息功能材料研究室主任和实验室副主任等职务。她还担任过国家863计划新材料领域电子材料、光子材料专题负责人。她发表论文二百多篇,获得国家发明专利多项,成果多次获得国家科技进步奖和省部级奖励。2003年,她当选亚洲太平洋材料科学院院士,2004年获得第三世界科学院工程科学奖。 从1999年开始,李爱珍先后四次申请中国科学院院士。根据当时的相关章程,超过60岁的候选人在推荐人数和学组要求上门槛较高。她主要精力放在实验室研究上,在学术圈联络相对有限,四次申请均未成功。2005年最后一次申请后,她没有进入最终候选人名单。这几次经历在科研界引起一些讨论,但她本人始终把注意力放在实际工作上。 2007年5月,美国国家科学院公布外籍院士名单,李爱珍当选。她是中国首位获得这一荣誉的女科学家,也是当时少数没有中国科学院院士头衔却当选美国国家科学院外籍院士的中国大陆科学家。美国国家科学院外籍院士评选不接受个人申请,由院士提名和层层评审,主要看候选人在相关领域是否作出卓越持续贡献。贝尔实验室的卓以和等专家提名了她,评审关注的是她在量子级联激光器材料与器件方面的独立工作成果。 消息传开后,国内科研界和媒体有所关注。有人问起国内申请和国外当选的情况,李爱珍面对记者采访,平静地说,感谢祖国的栽培。她强调,如果没有国家提供的科研平台、项目经费和研究环境,就不会有她的这些工作。她一直表示,对国家的支持心怀感激,不会忘记自己的根。 当选后,李爱珍的生活和工作节奏没有改变。她2001年正式退休,但继续在上海微系统与信息技术研究所从事研究,指导年轻科研人员。2010年,她作为亚洲代表,推动中红外光电材料和器件国际会议在中国上海举办,展示了国内团队的进展。她培养的研究生数量不多,但都得到亲自指导,许多学生后来在国内外科研机构成为骨干。 李爱珍常说,科研是她生命的绝大部分。她坚持在实验室工作,注重为国家在半导体领域争取位置。她的经历体现了老一辈科研工作者对科学的尊重和对国家的责任感。在她看来,科学发展需要长期积累,不能期待短期就能看到全部成果。这种态度影响了身边的同事和学生。 进入21世纪后,李爱珍继续关注半导体量子结构的研究。她参与相关国际会议,担任分子束外延国际会议顾问委员会委员等职务,为中国在这一领域的交流贡献力量。晚年她偶尔出席研究所活动,如2015年和2024年在上海微系统所参加纪念座谈会,分享经验。 李爱珍的故事在科研界流传开来。许多人从她身上看到,专注做好本职工作,坚持为国家科技进步出力,就能获得国际认可。她的成果帮助中国在化合物半导体材料领域缩小与国际先进水平的差距,为相关应用提供支撑。她始终坚守在国内,把一生贡献给半导体研究事业。