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AI推理存储新风口,设备/材料/封测核心标的梳理 一、 技术背景:AI推理的“

AI推理存储新风口,设备/材料/封测核心标的梳理

一、 技术背景:AI推理的“新宠”

HBF(高带宽闪存)正成为继HBM之后,AI推理时代的关键存储技术。其核心价值在于填补了HBM(高带宽但容量小)与SSD(容量大但速度慢)之间的性能断层。

- 技术原理:通过TSV(硅通孔)技术垂直堆叠NAND闪存,在保持高带宽的同时,提供约为HBM 10倍的存储容量。
- 应用场景:专门满足AI推理对海量数据处理和低功耗的双重需求。

二、 商业化进程:巨头抢滩2027

- 闪迪(SanDisk):已搭建原型产线,计划2024下半年推原型,试产线预计2026下半年竣工,商业化目标2027年(可能提前半年)。
- 三星:2020年代初开始研发,近期密集收购专利进行储备。
- 行业预测:业界预计2027-2028年HBF将集成至英伟达、AMD、谷歌产品中;专家预测HBF将在HBM6阶段广泛应用,2038年前后市场规模有望超越HBM。

三、 产业链核心标的全面解析

1. 设备环节:TSV工艺的基石

- 中科飞测:国产量测设备龙头。HBF数百层堆叠对薄膜厚度、关键尺寸测量要求极高,公司产品覆盖前道制程,有望切入原型线供应链。
- 赛腾股份:深度绑定SK海力士、三星的自动化设备专家。HBF与HBM工艺相似,公司凭借已验证的供应关系,在晶圆传输、测试分选等设备上具备先发优势。

2. 材料环节:特种化学品的突破

- 飞凯材料:明确公告其用于HBF的临时键合材料、液体封装材料(LMC)已进入送样测试阶段,直指堆叠工艺痛点。
- 华特气体:TSV刻蚀与清洗的关键气体供应商。三氟甲烷、六氟丁二烯等高纯特气是3D NAND堆叠的核心耗材,公司已获三星、SK海力士认证。
- 联瑞新材 / 华海诚科:聚焦高端环氧塑封料(EMC)及填料(球形硅微粉),受益于先进封装对材料导热性、纯度要求的提升。

3. 封测与部件:先进封装直接承载

- 长电科技:全球封测龙头,闪迪核心供应商。市场预期凭借现有合作,公司有望获得HBF封测订单,带来显著业绩弹性。
- 科翔股份:布局氮化铝(AlN)陶瓷基板。其高导热特性结合TSV技术,可解决高堆叠存储的散热难题,契合HBF需求。