我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料 2007 年，她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士，面对记者采访，她淡然表示：感谢祖国的栽培！

李爱珍在1980年代赴美进行学术交流访问期间，亲眼看到分子束外延技术的先进水平。那时候西方对相关设备和技术实施严格封锁，李爱珍访问了贝尔实验室等前沿机构，接触到被称作份子束外延之父的卓以和。

李爱珍心里反复想着国内半导体材料研究的空白，决定学成后立即回国，把这些知识带回来用在国家需要的地方。

回国后李爱珍主导建立国内首批分子束外延实验室，由于买不到整套设备，李爱珍带领团队通过多种渠道分批购入零部件，自己动手组装调试。超高真空环境下的原子层精确生长要求极高，设备精度和工艺控制稍有偏差就可能失败。

李爱珍既负责科学方向，又亲自组织工程环节，团队没日没夜调整参数，克服材料和工艺难题。

到1990年代，李爱珍领导的团队已经能够独立生长出高质量砷化镓和磷化铟等III-V族化合物半导体材料及其异质结构，填补了多项国内空白。

这些工作为后续研究打下坚实平台。

李爱珍的努力很快延伸到量子级联激光器领域。量子级联激光器理论基础早在1971年由苏联物理学家卡扎利诺夫和苏里斯提出，利用半导体量子阱中电子子带跃迁产生受激辐射，可以灵活调控波长，尤其适合中红外和远红外波段，在军事工业和医学领域价值巨大。

直到1994年美国贝尔实验室卡帕索团队才首次实验实现。

李爱珍团队从1995年开始攻关，在国内条件有限情况下，历经多年摸索，于2000年前后率先研制出5至8微米波段半导体量子级联激光器，实现了亚洲范围内零的突破。

李爱珍团队突破了分子束外延工艺中的多项关键技术，形成了自主知识产权的器件结构方案，相关成果发表在国际期刊上，引起同行广泛关注。

李爱珍始终把实验室当作主要工作场所，专注解决国家实际需求问题，多次婉拒国外优厚条件邀请，坚定留在国内继续研究。

与这些科研进展并行，李爱珍也参与了中国科学院院士评选。中国科学院学部1955年成立，1978年后逐步恢复，1993年正式使用院士名称，增选名额有限，程序严格。

1999年李爱珍63岁首次申请，那一年规定60岁以上候选人需至少6位院士联名推荐，李爱珍因长期专注实验室工作，推荐人数不足门槛未能进入评审。

2001年和2003年李爱珍继续申请，随着国际声誉提升推荐人数增加，但每届技术科学部竟争激烈，名额有限，李爱珍的提名均未在差额投票中胜出。

2005年李爱珍69岁第四次申请，已接近申报年龄上限，尽管获得多位院士支持，仍因当年增选名额压缩等因素再次落选。这些经历让李爱珍更加专注于实际研究，没有过多在意头衔。

美国国家科学院1863年由林肯总统签署法案设立，外籍院士评选完全依据全球学术影响力和实质贡献，由现有院士提名并秘密投票，无年龄限制，程序透明。

李爱珍多年积累的国际认可让她在2007年成功当选，这充分体现她在化合物半导体领域的开拓性工作获得了客观肯定。李爱珍接到消息时态度平静，继续埋头实验室工作。

在李爱珍看来，科学没有国界，但科学家有祖国。这句话点醒许多人，荣誉来自国际认可，而根基始终在祖国提供的平台。

李爱珍1936年出生福建，父母重视教育，李爱珍1958年复旦大学化学系毕业后分配到上海研究所，先从事稀有金属研究，后转向半导体方向。

整个职业生涯李爱珍带领团队取得突破性成果，获得多项发明专理，为国家化合物半导体事业奠定基础。李爱珍用实际行动展现出科研工作者应有的品质，无论国内评价如何，都坚持把国家和科学事业放在首位。

她的经历让后来研究者看到，长期积累的贡献最终会得到认可，而个人坚守比任何外部肯定更重要。