把DRAM想象成NAND的结构，这就是3D X-DRAM的基本概念，它将为内存市场带来革命，为AI提供更高密度。3D X-DRAM正在接近现实，作为HBM的替代方案为AI提供更高密度2023年，总部位 3D X-DRAM概念验证成功：10倍密度替代HBM的高产能内存设计