韩国存储制造商SK hynix宣布其用于高带宽存储（HBM）模块的混合键合封装技术的良率得到提升。混合键合使存储芯片制造商能够在不依赖凸点的情况下将存储层相互键合。直接接触可通过降低热产生实现更高速度 SK hynix突破12芯片混合键合HBM，产量保密，HBM4 AI内存赛道加速