《再谈可剥铜》

中午发完稿子，很多朋友私信问我。说我讲的太隐晦了。一直问，我就再讲的稍微细致一点。这事应该从英伟达的技术的迭代说起随着AI算力需求的不断加大，对光模块性能业有很大提升要求。对损耗的降低业提出了考验。

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首先需要说的就是封装技术的问题传统 的封装技术是Co­W­oS（芯片–晶圆–基板）结构：它分为下面四层1芯片（GPU+HBM）2硅中介层3ABF 封装基板4主板 PCB这个是目前台积电帮英伟达干的活英伟达为了更高传输效率和更低的成本，推出了未来更主流的是Co­W­oP技术它的核心是三层1芯片（GPU+HBM）2硅中介层3直接焊到用 mS­AP 做的高精密度 PCB 上这里得记住这个技术ms­ap技术就是它需要更高性能的铜箔。分三层这样的好处：第一省掉昂贵 ABF 基板，成本降 30–50%第二信号路径缩短 ≈40%，延迟更低、带宽更高

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上面说了mS­AP工艺技术它对铜箔同样提出了更高的要求。因此就需要载体铜箔——也就是一种特变薄的可剥离铜。举个例子《这就好比 女孩子化妆。以前的技术相当于在脸上擦厚厚的一层化妆品。 可剥铜相当于再脸上喷香水》擦一层化妆品就是电镀技术喷一层薄薄的香水的技术是可剥铜。

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需要用到磁控溅射技术。当然也有采用传统技术引入四个同学分别是三德子小芳大阳小同载体铜箔进度对比三德子：唯一量产 + 批量供货，进度第一小芳：验证通过 + 小批量，第二小同：研发 / 中试，第三（HV­LP 强、载体弱）大阳：仅规划 / 验证，第四（HV­LP5 + 最强、载体最弱）

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co­w­op技术主要要求的铜箔的厚度维度。这项技术另一个方面呢对铜表面的光滑度也有一定要求以前的铜箔是采用的电镀技术。（发展到了第四代电镀覆铜技术）而更高要求意味着姚更薄表面更光滑！几个同学的进度如下

大阳：磁控溅射 + 电镀复合，粗糙度做到 0.2μm，良率 85%，已过英伟达认证，量产 HV­LP5+。小日子家的三井金属：顶级电解路线，Rz≈0.6μm，良率 92%，但电解已到物理极限，难再升级。

小日子三井几乎占据市场规模的90%

小同：HV­LP5 中试成功，预计 2026 量产（电解路线）

三德子：收购拿技术，预计 2027 中量产（溅射路线）

小芳：主攻载体铜箔，HV­LP5 还在实验室 / 中试。具体的情况 需要跟踪企业的具体进展情况

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写在最后一方面要跟踪企业产品进度进度快的就能入机构的法眼另一方面还要理解市场永远都是对的。资金永远是对的我们做投资既要坚守心中的信心也要承认市场的选择这好比是在以减肥为傲以瘦为美的今天是否可以想象在1200年前的唐朝曾经是胖为美的？不信你看，连唐三彩里的马，个个都胖嘟嘟的交易里，有一些东西是变化的而有一些东西是恒定不变的。就像做人我们既要守住做人的原则又要懂得基本社交礼仪里面的灵活应变能力否则岂不是很荒唐？今天就说这么多个人观点仅供参考！！！