芯闻简讯：三星西安工厂NAND闪存产量据称下降5%~6%

媒体报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存厂区正在进行设备升级改造，晶圆产能出现同比下滑。该厂此前月产能约15万片晶圆，当前产量环比降幅预估在5%至6%，市场相关猜测认为，生产波动状况或将持续至明年。

报道指出，西安厂区正处于产能升级转型阶段，对短期产出形成压制。该厂区长期以128层NAND产品为主，在行业整体向200层至300层产品升级的背景下，市场对其产品竞争力存在担忧。

据Newspim消息，三星已在西安厂区启动第八代236层V8 NAND闪存的量产工作，标志着厂区正式从128层产品向200层以上高性能NAND产品切换。预计2026年内将完成第九代286层V9 NAND的工艺过渡，进一步强化西安厂区在三星NAND业务中的核心地位。数据显示，西安厂区产能约占三星NAND总产出的四成。

媒体朝鲜Biz称，美方针对半导体设备对华出口管制趋严，或导致先进设备进口受阻，三星也可能因此在更严格法规落地前加速产线升级进程。

据韩国经济日报报道，美国国会正审议针对中国的高强度出口管制法案，在华美企相关运营情况备受关注。目前法案包含例外条款，总部位于非关注国家企业的现有厂区，或不被纳入“关键半导体制造设施”范畴，三星西安厂区及SK海力士无锡、大连厂区或在适用范围内。

朝鲜Biz表示，半导体产线全面升级不仅是设备替换，还包括工艺校准、良率稳定及产品结构调整以匹配市场需求，行业内此类升级通常耗时至少半年，部分项目超过一年。

三星当前将工艺升级优先级置于短期产能之上，西安厂区持续升级不仅影响自身运营，也将对全球NAND闪存供需格局及价格走势产生影响。