🔥武汉近日官宣2600亿元存储扩产计划，是国产存储芯片产业的里程碑式突破，以长江存储为核心的布局正重塑全球存储格局。
此次扩产以长江存储与武汉新芯为双核心，主攻3D NAND与DRAM两大方向。长江存储三期厂房已进入设备调试阶段，预计2026年底投产，2027年达成月产能5万片的阶段性目标。最关键的突破是，三期产线国产设备占比首次突破50%，覆盖刻蚀、薄膜沉积等核心环节，意味着国产半导体设备从单点验证迈向了大规模量产场景的成熟应用，为产能扩张筑牢了自主可控的“安全底座”。
全部三座新厂达产后，长江存储总产能将实现翻倍，有望超越美光、SK海力士，冲击全球NAND闪存第三的位置。这不仅能大幅提升我国存储芯片的自给率，打破海外巨头的长期垄断，更能带动上游设备、材料产业链的全面升级，为数字经济、AI产业提供稳定的存储支撑，是我国半导体产业实现高水平自立自强的重要一步。
