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哈工大首次证实采用精密激光加工的微流道散热技术的单晶金刚石基氮化镓T/R组件,已

哈工大首次证实采用精密激光加工的微流道散热技术的单晶金刚石基氮化镓T/R组件,已经应用于重大型号的大功率雷达上。
不管是最早论文上,还是这次论坛PPT上的数据,双重印证了其热热流密度高于1.38kW/cm2,远远高于多晶金刚石与碳化硅衬底,隐身战机的末日正式到来。
个人认为此PPT上的所谓重大型号,应该不止一个。
这里简单给AESA雷达的固态功率放大器划代一下:
第一代:砷化镓GaAs(10瓦级别)。
第二代:碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC(百瓦级)
第三代:单晶金刚石基氮化镓GaN-on-Diamond(上千瓦级),即此处所介绍的。
同时现在AI处理器正热门,现在的AI处理器能否高效工作,已经越来越像、趋近于高功率氮化镓雷达的高功率氮化镓T/R组件,限制氮化镓性能发挥的,是衬底材料的散热能力。未来AI处理器的散热技术,极有可能采用此处的金刚石散热技术,所以东大在前两年,也已经对此一超硬材料列入出口管制项目。