碳化硅（SiC）核心概念：材料为王，全链爆发

一、核心逻辑

碳化硅=第三代半导体核心材料+800V高压刚需+AI算力散热/供电基石+国产替代最强赛道。

• 材料硬实力：耐高压（硅10倍）、耐高温、高导热（硅3倍）、低损耗，解决硅基物理极限。

• 需求三引擎（共振爆发）：

1. 🚗 新能源车（70%+）：800V高压平台标配，2026年渗透率35%+，单车价值3000-5000元。

2. 🧠 AI算力（2026爆发）：数据中心800V HVDC供电+先进封装散热刚需，2030年空间200亿+。

3. ☀️ 光伏储能（稳健40%+）：1500V逆变器效率99%，降本增效核心。

• 产业拐点：衬底突破+价格企稳+国产替代加速，从6英寸向8英寸迭代，龙头份额集中。二、产业链核心标的（材料优先，全链梳理）

✅ 1. 核心材料（最高壁垒，价值70%）

• 珂玛科技：超高纯SiC粉料标杆（99.99%），批量供货北方华创。

• 天岳先进：全球导电型衬底第二、国内半绝缘型龙头，大尺寸量产领先。

• 露笑科技：国内首批6英寸导电型衬底量产，良率对标国际一线。

• 天富能源：天科合达（全球衬底龙头）第二大股东，卡位单晶制造。

✅ 2. 核心设备（自主可控，卡脖子环节）

• 晶升股份：全球SiC长晶炉龙头，市占率前列，设备自主可控。

• 晶盛机电：长晶/抛光/外延全链条设备+6英寸衬底自研，产能扩张。

• 北方华创：SiC长晶/外延/刻蚀全流程设备，国内市占率第一。

• 高测股份：SiC金刚线切片机国产龙头，匹配新增产能。

✅ 3. 器件/模块（车规+工业，价值释放）

• 时代电气：车规级SiC芯片标杆，4/6英寸兼容产线，轨交+整车批量配套。

• 斯达半导：IGBT+SiC模块领军，车规级批量上车，获海外车企定点。

• 扬杰科技：全系列SiC SBD量产，切入全球TOP10电源/光伏客户。

• 华润微：IDM巨头，第二代SiC JBS先进，1200V MOSFET风险量产。

• 三安光电：第三代半导体全链IDM，衬底/外延/芯片全覆盖，产线落地。

• 东微半导/新洁能/士兰微/国科微/民德电子/宏微科技/英唐智控：器件设计/制造/封装加速突破，车规+工业级认证推进。三、主线结论

碳化硅是“材料+设备+器件”三位一体的硬科技主线，短期看衬底+长晶炉（壁垒最高），中期看车规模块放量，长期看AI算力+先进封装增量。龙头集中，国产替代加速，算力链最强支线。