碳化硅（SiC）概念梳理事件催化2026年5月13日盘后，据券商纪要，电源领域SiC功率器件在数据中心电源、UPS、服务器电源显著提升转换效率与功率密度，配合800V HVDC架构提升整体效能。封装领域，NVIDIA预计在Rubin平台引入SiC并采用TSMC CoWoS，以SiC替代硅中介层，TSMC亦与供应商开发12英寸单晶SiC载板；光学领域，SiC高折射率与热导率在AI眼镜SRG波导/散热中具备优势，可能替代树脂成为未来方案。 部分相关核心上市公司一览表碳化硅衬底1. 天岳先进：半绝缘碳化硅衬底产能A股第一、全球第三，年产能约5.2万片，以4英寸半绝缘碳化硅为主。2. 天富能源：天科合达导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一；公司为天科合达第二大股东，持有9.09%的股份。3. 宁德时代：天科合达导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一；公司为天科合达第三大股东，持有约4.72%的股份。4. 弘元绿能：天科合达导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一；公司持有天科合达期末（25H1）公允价值4004万元。5. 晶盛机电：国内90万片拉晶产能，现有30万片（6寸25万片+8寸5万片）+新建8寸60万片；海外新建24万片切磨抛产能。6. 三安光电：6吋碳化硅产能1.6万片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1千片/月。7. 东尼电子：生产导电型碳化硅衬底材料；8英寸碳化硅衬底处于研发验证阶段，已有小批量订单。8. 瑞纳智能：8英寸碳化硅衬底的长晶技术调整优化后，可保证晶体稳定生长与加工。9. 露笑科技：主要从事6英寸导电型碳化硅衬底的生产、销售；大尺寸碳化硅衬底研发中心项目投资进度有所放缓。10. 合盛硅业：6英寸碳化硅衬底已全面量产，8英寸碳化硅衬底已开始小批量生产，12英寸碳化硅衬底研发顺利。外延片三安光电、明德电子等设备晶升股份、晶盛机电、北方华创、高测股份、宇晶股份、迈为股份、德龙激光、大族激光、宇环数控等器件斯达半导、扬杰科技、时代电气、国星光电、苏州固锝、新洁能、芯朋微、华润微等北交所宁新新材、连城数控 本内容来源公开资料，仅供参考，不构成任何投资建议。