【国金计算机&科技】Wolfspeed 5月至今已翻倍，AI电源架构升级与CoWoS导入尝试引爆SiC需求事件：Wolfspeed（WOLF）盘中大涨20%+，5月至今已翻倍。5月5日，Wolfspeed公布26财年第三季度财报，AI业务收入环比增长约30%，毛利率环比改善12.55个百分点。  需求侧验证_多家公司明确SiC需求改善。——三星晶圆代工正重启8英寸SiC产线筹建，与供应商深入磋商进入实质推进阶段，目标2028年实现量产。 ——英飞凌（IFNNY）CEO在最新财报会中表示“SiC在AI相关应用需求十分旺盛，推动公司该业务重回增长”，此前公司发函将SiC 功率器件涨价15% ——安森美（ON.O）CEO表示，“SiC功率半导体显著提升电能转化效率，1Q26 AI数据中心收入环比增长30%，全年有望实现翻倍增长” ——Navitas（NVTS.O） CEO表示“公司已将重点转向SiC和GaN市场，在AC/DC电源单元（PSU）中，得益于PSU功率提升，SiC价值量约为每兆瓦5000-8000美元”  AI电源架构革命_SiC功率半导体是SST核心部件。单机柜功率迈向兆瓦过程中，传统供电架构无法满足需求，800V HVDC/SST可大幅减少中间转换环节。3月5日，Wolfspeed发布全球首款可商用10kv SiC功率MOSFET，作为SST核心器件，可将系统成本降低约30%，功率密度提升超300%，转换效率高达99%，散热需求降低高达50%。基于上述方案，一个100MW的超大IDC每年可节省电量超1200万度，减少供电单元占地面积50%。  SiC中介层有望导入CoWoS先进封装_打开想象空间。SiC的热导率约为硅的3倍，同时具备高机械强度和高电阻率等特性，在多芯片芯粒组装和高带宽内存堆叠中具备系统级协同优势，WolfSpeed的CTO近日在访谈中表示，公司正与代工厂和OSAT封测厂合作，评估SiC-Si封装架构的技术可行性，与CoWoS等封装方案衔接。若导入顺利，到2030年全球需要超过230万片12英寸SiC衬底，远超全球产能。  WolfSpeed、天岳先进、晶升股份、宇晶股份等。  风险提示：SiC渗透率不及预期，AI发展不及预期，产能拓展不及预期等。

【中信电子】800V关注度提升，SiC、电容、模拟等上游通胀环节显著受益  近期市场对AI电源800V趋势关注度进一步提升，上游元器件受益趋势也变得更加明确，相关投资机遇梳理如下  ——1)SiC：适配AI数据中心高功率、高密度、强散热的产品特性，契合HVDC、SST发展需求，且当前随产业技术迭代及降本，SIC器件性价比持续凸显，产业端应用加速，部分厂商已针对服务器用SIC器件有所涨价。建议关注天岳先进、晶盛机电、芯联集成、斯达半导、时代电气、扬杰科技等龙头厂商。——2）铝电解电容&薄膜电容：受益于数据中心装机功率升级，当前本土厂商积极导入全球电源产业链，订单落地持续加速。建议关注江海股份、法拉电子。——3）MLCC：村田、三星电机等海外大厂AI产品需求高景气且边际加速，看好本土厂商有望享受产能外溢，初期受益份额提升，若涨价持续性超预期也有望跟进涨价。建议关注三环集团、风华高科、昀冢科技。  ——4）模拟芯片：本土厂商持续导入服务器电源领域且收入敞口持续提升，业务营收有望持续高增，同时泛工业下游持续景气。建议关注纳芯微、南芯科技、思瑞浦、圣邦股份等。