韩媒消息，三星电子正在研发新的移动端的HBM技术。当前的移动LPDDR采用的是铜wire bonding的封装方式，I/O接口基本限制在128/256（手机当前是4x16bit，车机和PC现在128bit和256bit）。
三星之前已经推出VCS（Vertical Cu-post Stack）通过铜柱将 DRAM 存储芯片以阶梯式堆叠排布。这次新技术是之前VCS技术的升级，目标是提升带宽15-30%，内存堆叠容量增幅1.5 倍。如果这个技术能够商用，大带宽有利于AI智能体在端侧的落地。不过估计时间会比较晚，按现在服务器DRAM这么赚钱的形式，估计要到2028-2029年才有精力转到端侧了。
