SK海力士年底量产375层闪存的三大关键信号
SK海力士年底量产375层闪存，这事儿背后有三个关键信号。
第一个信号，400层计划降级为375层。
原定400层堆叠因工艺难度过高被迫调整，这暴露了超高层NAND闪存在量产阶段的技术瓶颈。
通道孔蚀刻等核心工艺在突破300层后难度呈指数级增长,即便是SK海力士这样的头部厂商也不得不向现实妥协。
第二个信号,以钼代钨的材料革命正式落地。
375层产品首次在字线金属栅极中引入钼材料替代传统钨。
钼在微缩线路中电阻更低,信号传输速度更快,且无需额外铺设阻挡辅助层,直接提升存储密度和读写性能。
SK海力士选定东京电子的炉式沉积系统,单次可处理约100片晶圆,在设备成本、场地占用和材料消耗上优势明显。
三星电子已于2024年4月在286层产品中应用钼材料,SK海力士此次跟进标志着钼基工艺从试验走向规模化。
行业预测显示,NAND闪存钼用量将从2026年的14吨激增至2030年的140吨以上。
第三个信号,存储厂商战略从扩产转向提效。
SK海力士将清州M15工厂的176层、238层、321层产线全面升级为375层产线,而非新建产能。
这反映出当前NAND市场驱动力从产量竞争转向单位比特盈利能力的提升,高端化路线成为主流选择。
技术迭代的代价不容忽视。
钼前驱体常温下为固态,对高温供给的精准控制要求极高,制程管控难度远超传统钨工艺。
SK海力士后续规划的480层、604层产品能否按期推进,取决于钼工艺的成熟度和良率爬坡速度。
