长鑫+长存两大存储巨头扩产，背后受益的8大卡脖子卖铲人

1. 硅片（12寸大硅片）

作用：

硅片是芯片制造的地基。所有晶体管、互联层都在硅片表面通过光刻、刻蚀、沉积等工艺逐步构建。

12英寸硅片主要用于先进制程（≤28nm）及存储芯片（DRAM、NAND），其平坦度、洁净度、晶向精度直接影响良率。

随着长鑫、长存扩产，12寸硅片需求激增，但重掺（用于功率器件）和轻掺（用于逻辑/存储）的高端产品仍依赖进口。

国产化率：约10-15%（12寸重掺/轻掺仍依赖进口，8寸已较高）

相关公司：沪硅产业、西安奕材、立昂微、TCL中环

2. 光掩模（掩膜版）

作用：

掩膜版相当于芯片电路的照相底片。光刻机将掩膜版上的图形缩小投影到硅片光刻胶上，从而定义每个晶体管和连线的形状。高端前道掩膜（用于28nm以下及存储芯片）需要电子束描画、多层相移OPC技术，国产能力仍弱。

国产化率：约20-30%（高端前道掩膜仍受制于设备与工艺）

相关公司：清溢光电、路维光电

3. 光刻胶（ArF / KrF）

作用：

光刻胶是光刻工艺的感光介质。

涂覆在硅片上的光刻胶经过曝光、显影后，形成与掩膜版对应的图形窗口，保护下方材料在刻蚀或离子注入时不被破坏。

ArF光刻胶（用于193nm光源，支持45nm以下节点）是逻辑和存储芯片的核心耗材，目前国内仍处于0到1突破、小批量验证阶段；KrF光刻胶（用于248nm）相对成熟，已开始小批量导入产线。

国产化率：ArF < 10%（仍处验证/小批量）；KrF 约20-30%

相关公司：南大光电、上海新阳、晶瑞电材

4. 靶材（溅射靶材）

作用：

在物理气相沉积（PVD）中，高能离子轰击靶材表面，溅射出原子沉积到硅片上形成金属薄膜（如铝、铜、钛、钽等），用于导线、阻挡层、焊盘等。

高端芯片对靶材纯度（≥5N）、晶粒均匀性要求极高，尤其是铜靶材（用于铜互连）和钽靶材（阻挡层）。

国产靶材在铝、钛等常规品种已成熟，但高纯铜、高纯钽仍依赖进口。

国产化率：约30-40%（Al/Ti已成熟，高纯铜/钽仍有进口）

相关公司：江丰电子、有研新材、阿石创、隆华科技

5. 电子特种气体

作用：

电子特气贯穿芯片制造的刻蚀、沉积、掺杂、清洗等关键工艺。

例如：刻蚀硅需要CF₄、SF₆；沉积氮化硅需要SiH₄、NH₃；掺杂需要AsH₃、PH₃等。

高纯气体（纯度99.999%以上）中的微量杂质（水、氧、颗粒）会导致芯片缺陷甚至报废。

目前国内在NF₃、SiH₄等大宗品种已突破，但高纯Cl₂、高纯HBr、钨源气体等仍被海外巨头（空气化工、林德）卡脖子。

国产化率：约25-35%（高纯品类仍依赖海外，中低端已替代）

相关公司：华特气体、金宏气体、南大光电、雅克科技

6. 抛光材料（抛光液+抛光垫）

作用：

CMP（化学机械抛光）是芯片制造中实现全局平坦化的唯一工艺。

抛光液提供化学腐蚀作用，抛光垫提供机械研磨。

随着芯片层数增加（存储芯片可达200层以上），每一层布线后都需要CMP。抛光液的配方（pH值、磨料粒径、氧化剂浓度）决定抛光速率和缺陷；抛光垫的硬度、沟槽设计影响均匀性。

国产抛光液在氧化物、钨抛光领域已放量，但铜抛光液、高端存储用抛光垫仍处于追赶阶段。

国产化率：抛光液约20-30%，抛光垫 < 10%

相关公司：安集科技、鼎龙股份

7. 湿电子化学品

作用：湿法工艺中用于清洗、刻蚀、显影、剥离的高纯试剂。

包括高纯双氧水、氢氟酸、硫酸、显影液等。芯片制造每道工序前后都需清洗，颗粒、金属离子、有机物必须控制在ppb（十亿分之一）级别。

高端制程需要G4/G5等级（金属杂质