ResearchArticle:CVDHfC-basedsolidsolutioncoatingsfortheultra-hightemperatureablationprotectionofSiC-coatedC/Ccomposites
通讯单位:西北工业大学,陕西省纤维增强轻质复合材料重点实验室
DOI:10.1016/j.jmst.2026.04.031

01
研究亮点
(1)采用化学气相沉积(CVD)法在C/C复合材料上沉积出不同Hf/Zr比例HfxZr1−xC固溶体涂层。
(2)HfxZr1−xC涂层的热膨胀系数(CTE)和热导率(TC)均低于HfC和ZrC,且可通过成分调控。
(3)Hf/Zr比例通过影响氧化层的均匀性和连续性来调控抗烧蚀性能。
(4)Hf0.5Zr0.5C涂层形成致密氧化层,表现出最优的抗烧蚀性能。
02
研究背景
随着航空航天技术的快速发展,极端高温环境下的高热流密度氧化/烧蚀成为C/C复合材料面临的严峻挑战。超高温陶瓷(如HfC、ZrC)涂层虽能保护基体,但单相碳化物氧化后形成多孔层,防护效果有限。HfC与ZrC因原子半径和晶格参数高度匹配,热力学上具有优异的互溶性,性能可通过固溶比可调,是理想的烧蚀防护涂层候选体系。然而,受强共价键和低自扩散系数限制,单相固溶体涂层制备困难,相关研究鲜有报道。
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研究方法
为缓解单一HfC涂层长时间烧蚀后易形成多孔氧化层的问题,本文采用化学气相沉积法(CVD)在SiC涂层包覆的C/C复合材料表面制备HfxZr1−xC(x=0.3,0.5,0.7)固溶体涂层。通过实验和第一性原理计算研究了其微观结构、热性能及烧蚀行为
结果表明:三种涂层的热膨胀系数(CTE)均低于纯HfC和ZrC涂层。随Zr含量增加,热膨胀系数升高,晶格畸变增强导致热导率降低。Hf0.5Zr0.5C涂层在2300°C烧蚀180s后,表现出了最低的质量烧蚀率(0.36mg/s)和线烧蚀率(0.28μm/s),这归因于形成了致密均匀的Hf0.5Zr0.5O2固溶体氧化层,通过成分均匀性和晶界融合抑制氧扩散,提高了结构稳定性。本研究通过调控固溶体涂层的成分,从而调节氧化产物的成分均匀性,促进了更加协同、均匀的氧化过程,形成了致密稳定的氧化层,提高了涂层的抗烧蚀性能。
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正文解读
1、材料制备:
基体:密度约1.73g/cm³的块状2.5DC/C复合材料。
涂层:HfCl4-ZrCl4-CH4-H2-Ar体系下的化学气相沉积(CVD)工艺制备。
HfxZr1−xC固溶体:HZC1(Hf0.7Zr0.3C,x=0.72)、HZC2(Hf0.5Zr0.5C,x=0.53)和HZC3(Hf0.3Zr0.7C,x=0.25)。
2、第一性原理计算
使用VASP计算,选取单胞模型。几何优化采用ISIF=3优化晶胞形状与尺寸,截断能450eV,采用GGA-PBE泛函,能量和力收敛标准分别为1×10⁻⁶eV和0.01eV/Å,k点网格为Gamma中心4×4×4Monkhorst-Pack。单点能计算时ISIF=2。
3、性能测试及表征
(1)CTE:涂层C/C样品(Φ6mm×15mm)的采用DIL402-C膨胀仪测试。
(2)热导率:样品Φ12.6mm×2mm(涂层总厚115-120μm),测试温度20-1600°C),间隔200°C一个测点。
(3)烧蚀测试:氧乙炔火焰中进行(热流密度2.4MW/m2,O2/C2H2=1.46),红外测温枪全程监测表面温度。每种涂层测试5个样品,每样至少5个位置。质量烧蚀率Rm=(m0-m1)/t,线烧蚀率Rl=(L0-L1)/t。
(4)涂层物相、成分和微观结构:XRD(CoKα)、SEM/EDS及TEM。
04
正文解读
3.1.前驱体粉末的表征,
由图1(a)、(b)的HfCl4和ZrCl4前驱体的热重(TG)曲线可以看出,热分解分三个阶段:180-230°C蒸发游离水/结晶水;280-330°C升华分解(最大失重速率);380-420°C完全热解。加热至500°C时,两者质量分别减少68%和65%,趋势相同。HfC与ZrC沉积反应的吉布斯自由能曲线几乎重合,表明沉积速率同步,因此可通过前驱体比例调控涂层Hf/Zr比。

图1.前驱体的TG曲线:(a)HfCl4,(b)ZrCl4;(c)所制备涂层的XRD图谱;(d)HfxZr1−xC涂层的(111)和(200)衍射峰的拟合曲线。
3.2.所制备涂层的物相组成与微观结构
图1(c)、(d)表明所有HfxZr1−xC涂层均为单相固溶体结构,随x(0.72、0.53、0.25)减小,衍射峰向低角度移动,归因于Zr原子半径(1.60Å)略大于Hf(1.59Å)。图2(a)计算结果显示,晶格参数随Zr含量(0.25-0.75)线性增加,固溶体引起晶格畸变但未相分离。比较三种结构[111]面的电荷密度(图2(b))研究晶格畸变演化。Hf-C和Zr-C间存在明显的共价键,随Zr含量增加,C与金属原子电子云重叠增强,共价作用加强。图2(c-e)的态密度(DOS)显示,Zr比例升高使Zr在费米能级的DOS超过Hf,促进了更加协同、均匀的氧化过程。C-2p与Hf-5d/Zr-4d轨道在全能量范围内显著重叠,表明金属-碳共价相互作用。

图2.(a)HZC1、HZC2和HZC3的晶格常数与固溶体浓度的关系;(b)HZC1、HZC2和HZC3的电子密度与Zr固溶体浓度的关系;(c–e)HZC1、HZC2和HZC3的PDOS曲线。
如图3(a1)和图S2所示,沉积态HfxZr1−xC涂层呈花椰菜状、无裂纹,各涂层厚度相近。Hf、Zr元素分布均匀且与设计成分一致;C元素分布不明显,源于树脂与涂层均含碳且碳原子序数小。TEM分析表明(如图3(b1,b2)),Hf0.5Zr0.5C涂层展示了周期性晶格结构,条纹间距约0.2163nm(对应(200)面)。SAED花样(如图3(b3))证实其为面心立方(FCC)结构。图3(b4)显示出元素分布在原子尺度均匀,无偏析或团聚,表明CVD可成功制备成分均匀的单相固溶体涂层(另两种涂层见图S3)。

图3.(a1-a3)HZC2涂层的表面和截面SEM图像及EDS结果;(b1)Hf0.5Zr0.5C涂层的明场TEM图像;(b2)低倍率HRTEM图像;(b3)(b2)中虚线矩形的放大图;(b4)扫描透射电子显微镜图像及相应的EDS元素分布图。
3.3.所制备涂层的热物理与力学性能
如图4(a,b)所示,三种固溶体涂层的CTE随Zr含量增加而增大:HZC1(3.6)HZC3(20.25W/(m·K)),均低于单相HfC/ZrC。晶格畸变随Zr含量增加而加剧,增强声子散射,降低平均自由程,导致热导率下降。纳米压痕表明(如图4(e,d)所示),Zr含量越高,压入位移越小,抗塑性变形能力增强,硬度提高;弹性模量变化非单调,受键合强度、致密度等多因素影响。

图4.(a)三种涂层的热膨胀系数;(b)三种涂层在1500°C时的热膨胀系数;(c)三种涂层的热导率;(d)三种涂层的热扩散率;(e)纳米压痕测试中三种涂层的载荷-位移曲线;(f)三种涂层的硬度和弹性模量。
3.4.涂层样品的抗烧蚀性能
采用氧乙炔火焰测试涂层抗烧蚀性能。烧蚀过程分为升温(35s内升至约2300°C)、恒温(85s)和冷却三个阶段(图5(a))。恒温阶段表面温度变化与热导率一致(图4(c))。HZC2涂层的质量烧蚀率(0.36mg/s)和线烧蚀率(0.28μm/s)均为最低,表现出最优的抗烧蚀性能(图5(b))。图5(c)、S5(a,b)烧蚀180s后宏观形貌,HZC2涂层表面形成致密氧化层,无裂纹剥落,仅少量气孔;HZC1局部剥落,HZC3出现大量宏观气孔。图5(e,f)、S6的截面显示HZC2氧化层致密无缺陷,HZC1和HZC3存在气孔和贯穿裂纹。三种涂层在烧蚀后均保持原有的成分变化趋势,不同Zr含量导致烧蚀形貌呈现出不同的微观结构特征(EDS分析图5(d)、图S5)。注:SX图见原文Supplementarymaterials。

图5.(a)涂层在烧蚀中心区域的烧蚀温度曲线(插图为烧蚀过程中的火焰图像);(b)涂层的质量烧蚀率和线烧蚀率;(c,d)HZC2涂层样品在烧蚀180s后中心区域的SEM图像,以及宏观照片和EDS结果;(e,f)HZC2涂层的截面SEM图像。
三种涂层烧蚀后均形成HfxZr₁₋xO2固溶体。随Zr含量增加,氧化物晶粒尺寸逐渐增大:HZC1为含缺陷的纳米多晶;HZC2为成分均匀、近单晶结构(图6(a)、(b));HZC3晶粒更大,但元素偏离平衡时出现晶粒间的纳米偏析。

图6.(a)HZC2烧蚀后形成的Hf0.5Zr0.5O2的HAADF图像及EDS结果;(b)HZC2烧蚀后形成的Hf0.5Zr0.5O2的HRTEM图像和SAED花样。
HfxZr1−xO2固溶体涂层的抗烧蚀性能具有成分依赖性:HZC1(富Hf)因纳米多晶结构导致高晶界密度,HZC3(富Zr)因晶界偏析导致局部失稳,两者均形成多孔裂纹氧化层;而HZC2(Hf0.5Zr0.5C)形成元素均匀、结构连续的致密氧化层,有效抑制氧扩散,展现出最优抗烧蚀性能。

图7.(a–c)三种HZC涂层烧蚀行为的示意图
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引用本文
ZhenglongLi,JianZhang,LingxiYi,ZhiyuanMing,RuicongChen,YuleiZhang,HejunLi,CVDHfC-basedsolidsolutioncoatingsfortheultra-hightemperatureablationprotectionofSiC-coatedC/Ccomposites,J.Mater.Sci.Technol.277(2027)243-251