一、存储芯片设计公司（国内核心）- 兆易创新：Nor Flash全球前三，布局SLC NAND/自研DRAM，车规级存储领先。- 北京君正：车规SRAM全球第一、DRAM第二（收购ISSI）。- 东芯股份：中小容量SLC NAND国内领先，聚焦工业/物联网。- 澜起科技：内存接口芯片全球龙头，HBM配套核心。二、半导体设计/制造核心材料公司（国内+国际）1. 硅片（存储基底，价值占比20%-25%）- 国内：沪硅产业（12英寸存储级硅片龙头）、立昂微、西安奕材、TCL中环。- 国际：信越、SUMCO、环球晶圆。2. 前驱体（High‑K/金属沉积，3D NAND/HBM刚需）- 国内：雅克科技（长江存储第一大材料商、长鑫DRAM前驱体占比>60%）。- 国际：默克、Entegris、SK Materials。3. CMP材料（抛光液/垫，3D NAND层数越高用量越大）- 抛光液：安集科技（全球第三，长江/长鑫核心供应商）。- 抛光垫：鼎龙股份（长江存储份额>70%）。- 国际：Cabot、陶氏。4. 光刻胶（图形转移）- 国内：南大光电（ArF光刻胶通过存储先进制程认证）、彤程新材、晶瑞电材。- 国际：JSR、东京应化、默克。5. 电子特气（刻蚀/沉积/掺杂）- 国内：华特气体、金宏气体、中船特气。- 国际：空气化工、日企大阳日酸。6. 高纯靶材（金属化）- 国内：江丰电子（钽/钛/铜靶，长鑫市占>30%）、有研新材（钴/钛靶）。- 国际：霍尼韦尔、日企JX金属。7. 湿电子化学品- 国内：晶瑞电材、江化微、格林达。三、存储制造IDM（核心客户）- 长江存储：国产3D NAND龙头，232层堆叠技术全球领先。- 长鑫存储：国产DRAM龙头，全球第四具备完整设计/制造/封测能力。