中科院突发大消息！国产芯片四层堆叠成功，中国直接站上全球第一梯队
存储芯片的"盖楼"竞赛，刚刚传来重磅消息。

2026年6月，中国科学院微电子研究所宣告完成一件令行业为之振奋的壮举。该所运用IGZO材料，首度成功将3D DRAM堆叠至四层，开启了行业发展新里程。

说到“盖楼”，大家可能早就习惯了NAND闪存动不动几百层的说法。但DRAM却很难这么玩。最初，DRAM仅存在平面模式，由1个晶体管与1个电容构成。

随着容量提升，困难日益凸显，漏电、刷新及功耗等问题犹如深陷的泥沼，让容量拉高愈发艰难。这种结构用了几十年，不少人觉得升级空间有限。科技公司到处找突破口，新材料、新结构都在尝试。

此次中科院所采用的IGZO，归属于新一代氧化物半导体范畴。此材料具备显著优势，其漏电流极低。存储时间并非以毫秒计，而是长达400秒，如此表现，无疑为高效性能增添有力加持。

并且他们甩掉了传统的电容，换成了2T0C架构。乍看之下，不过是细微改动；实则影响深远。原来的DRAM只能一层层平铺，想像盖房一样只建平房；新的2T0C方式可以盖多层别墅，空间扩展直接翻倍。

该产品具体性能如何？四层堆叠之后，其每个存储单元能够存储3比特数据，相较之下，普通DRAM仅能存储1比特，高下立见。存储密度实打实翻了几倍。

最重要的是，AI芯片一直受困于数据搬运的效率低，DRAM能堆叠，计算和存储能一起做，这一技术如果量产，算力瓶颈直接被突破。

当前成果仍局限于实验室阶段，然而从时间维度考量，推进的时间节点并非迟缓。

更让人有信心的是，产业界动作非常快。合肥长鑫存储此前展示了全球首个采用BEOL集成的多层DRAM架构。这意味着国产厂商已成功研制出能将存储芯片集成于逻辑工艺的样品。

这步走完，后面的工程量产就有基础了。中国这些年一直想从二线冲到头部。有了这次突破，国产芯片的话语权明显提升。此次突破意义非凡，国产芯片于行业内的话语权显著提升。

不过现实还很复杂。三星和SK海力士多年积累，工程化、量产、良率控制都极严苛。中科院的成果是实验室级别，到真正晶圆厂大规模生产，还有大量难题。例如复杂堆叠后，芯片的散热、内部互联、批量产出率都要过硬。

韩国、日本、美国产业链完整，经验丰富。国内厂商需要补的课不少，具体能不能顺利量产，还是未知数。

但趋势清晰：DRAM行业已从平面扩容变成垂直盖楼。中国团队并不是一时之选，参与全球竞赛已站上起点。

全球其他团队也不是停步不前，比如日本厂商正研究铁电材料取代传统结构，有报道说日本NEC在上世纪就探索非电容存储方案，但受制工艺，没能推广成主流。这透露出一点：DRAM升级路线不是单一答案，各家都在自找突破。

还有一点要关注，虽然这次IGZO材料表现亮眼，但业界对于其长期可靠性和批量应用还抱持续观望态度。不少专家指出，IGZO能有效降低漏电，提高数据保存时间，但在大面积生产时面临均一性难题，而且新架构对设备制造精度和封装工艺要求更高。

国产DRAM实现3D堆叠并跻身全球第一梯队，这一成就宛如一面鲜明的旗帜，象征着国内芯片产业正以一往无前之势，迈向更为广阔的发展天地。

实验室成果不是终点，进入产业、做到批量、变成市场产品才算真正突破。中国团队方向明确，步子已经迈出。全球芯片行业的盖楼竞赛还远未结束，这场比赛才刚开场，谁能率先实现量产、谁能持续提升质量，是下一个悬念。

现在国产芯片终于迎来真正参与全球存储技术升级的机会，这是产业界多年来一直期待的时刻。大家都等着看。

信息来源：微电子所在 IGZO 2T0C 3D DRAM 领域取得进展——2026-06-17 中国科学院微电子研究所官网