IBM突破芯片物理极限，0.7纳米工艺开启半导体埃米时代。

6月25日，IBM在VLSI 2026大会发布全球首款0.7纳米（7埃米）芯片技术，凭借三维纳米堆叠架构实现亚1纳米原子级工艺突破，打破传统制程物理瓶颈。

该技术器件密度是2nm芯片的两倍，单枚指甲盖大小芯片可集成近千亿晶体管；对比2nm节点，芯片性能最高提升50%，能效优化70%，适配生成式AI、云服务器与新一代电子设备。

IBM研究院表示，三维堆叠重构了芯片底层制造逻辑，不局限于平面缩小晶体管，可支撑行业至少十年制程迭代，这套工艺最快五年实现量产。

配套产业布局同步推进，IBM持续攻坚High NA EUV光刻设备，还计划成立全球首家纯量子晶圆代工厂Anderon，兼顾经典先进芯片与量子芯片制造。

这套全新立体工艺为后摩尔时代半导体持续性能升级开辟新路径。