DRAM内存四年暴涨近7倍 三星、海力士、美光遭美国反垄断集体起诉。

近两年，手机、电脑等电子产品搭载的DRAM内存价格持续大幅飙升，市场货源紧张、售价居高不下，让广大消费者和线下零售商承压严重。6月29日，全球三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光正式在美国被提起反垄断集体诉讼。

诉状明确揭露了此次内存价格暴涨的核心原因。随着AI产业高速发展，高端高带宽内存HBM市场需求火爆、利润远超普通民用内存。为此，三星、SK海力士、美光三大存储巨头纷纷调整产能布局，主动压缩DDR3、DDR4等主流消费级内存产能，将大量生产线倾斜转向HBM高端产品。由于单颗HBM芯片占用的晶圆面积更大，传统民用内存产能被大幅分流，市场货源持续紧缺，直接推动民用DRAM内存价格连年飙升，四年涨幅接近700%。

而此次内存价格乱象的根本原因，在于存储行业极高的市场准入门槛。新建存储芯片工厂需要投入上百亿美元巨额资金，且建设、投产周期长达数年，外部新企业根本没有能力入局参与市场竞争。全球DRAM内存市场长期被三星、SK海力士、美光三家企业垄断，三家企业同步缩减传统民用内存产能时，没有新增产能能够快速填补市场缺口，最终造成货源紧张、价格持续走高的局面。

这三家存储巨头并非首次出现价格操纵违规行为。此前，三星、SK海力士就曾因同类价格垄断行为被查处，不仅缴纳了巨额罚款，多名相关高管也被追责处罚。本次诉讼特意将过往的处罚记录纳入诉状，以此佐证三家企业长期存在协同控价、操纵市场的经营模式。

从行业现状来看，即便本次诉讼进入司法审理流程，短期内也难以扭转内存供需格局。AI算力需求持续爆发，HBM高端内存订单充足、盈利空间更大，厂商优先布局高端存储产能的策略不会轻易调整。这也意味着民用电脑、数码产品的硬件成本，短期内很难出现明显回落。后续这场反垄断诉讼的审理结果，将深刻影响全球存储行业的产能规划、市场定价以及行业竞争格局。