1.4纳米芯片竞赛分出快慢：台积电2028年量产，三星延后一年全力追赶。

全球顶尖芯片代工行业的1.4纳米先进制程竞争格局逐渐清晰，台积电与三星两大巨头的研发量产进度出现明显差距。目前台积电已敲定时间表，计划在2028年正式量产1.4纳米芯片；而三星的同级别制程进度有所延后，量产时间调整至2029年，现阶段正全力加速研发，追赶行业进度。

据韩国媒体报道，三星正在全力推进自家SF1.4（1.4纳米）芯片工艺的研发工作。该制程原本规划2027年量产，后续因企业调整晶圆代工业务重心，推迟至2029年落地。为补齐研发进度，三星主动对接应用材料、泛林等全球顶尖半导体设备企业，共享全套工艺方案，联合定制适配1.4纳米制程的专属生产设备。其中应用材料负责芯片镀膜、抛光设备，泛林主打电路刻蚀设备，定制化设备能够有效提升芯片生产精度和良品率，是先进制程量产的关键保障。

想要量产1.4纳米高精度芯片，离不开核心高端设备。三星已成功引进ASML最新的High NA EUV光刻机，安置在自家半导体研发园区。这款光刻机精度远超普通设备，能够完成超细微芯片电路的雕刻工作，无需多次重复曝光，既能降低生产成本，也能减少残次品，业内预计它将率先应用于三星1.4纳米芯片生产线。

两家企业量产时间出现差距，核心是经营策略不同。台积电研发节奏稳健、路线稳定，稳步推进1.4纳米工艺的研发与建厂工作，力求按时量产，抢占高端AI芯片市场。而三星此前晶圆代工业务持续亏损，为稳住整体营收，优先优化2纳米、4纳米等成熟制程，暂时放缓了顶级先进工艺的投入，最终导致1.4纳米量产计划延后。

即便进度落后一年，三星并未放弃高端制程赛道，通过绑定头部设备厂商、配齐顶尖光刻机等方式加速研发，缩小与台积电的技术差距。1.4纳米芯片主要用于高端AI处理器、旗舰手机芯片，具备性能更强、功耗更低的优势，是未来高端芯片市场的核心竞争力。谁能率先实现稳定量产，就能抢占更大的全球高端代工市场份额。

后续行业主要关注两大核心动态，一是台积电2028年量产计划能否如期落地、良品率能否达标；二是三星的联合研发进度，是否能缩小代差，改写全球先进芯片制程的竞争格局。