光芯片扩产周期与EML产能缺口追踪

聚焦光互联技术演进，本文拆解光芯片赛道的供需现状与相关企业的产能节点。

一、EML产能缺口30%与设备扩产周期

2026至2027年光模块排产推进，光芯片EML与CW供应端承压。光芯片产线扩充涉及MOCVD设备、EML电子束光刻及后道封测等多环节设备的调配，新增产能释放周期普遍在1.5年以上。

据Lumentum数据显示，当前EML产能缺口约为30%。同时，博通、Coherent、三菱、住友等厂商在光模块用CW光源上的排产出现收缩。

在当前的排产背景下，国内光芯片厂商正加速填补CW光源产能，并逐步推进100G EML的产线导入。

二、Scale-up规模达3至4倍与CPO技术演进

传输速率升级使得传统铜缆的物理瓶颈显现，光互联在Scale-up（向上扩展）领域形成增量节点。据LITE预估，Scale-up光互联初期市场规模约为Scale-out（向外扩展）的3至4倍。

叠加NPO、CPO及XPO等技术的商业化渗透，高功率CW光源需求增加。由于NPO与CPO所用的高功率CW光源芯片尺寸更大，导致单晶圆产出量减少且良率存在折损，进一步约束了整体产能。

三、北美CSP供应链门槛与产品壁垒

高速率光芯片受制于良率与工艺壁垒，一旦跨越良率瓶颈、实现规模出货，单颗芯片的制造成本就会被摊薄，企业将进入稳定的利润兑现期。

北美CSP（云服务提供商）对供应商的导入验证体系严格，长验证周期与有限的供应商名额形成了较高的客户黏性。

目前国内头部厂商已推进至核心客户验证与扩产节点，2026年将步入国产光芯片产线全面导入期。

行业观察

当前参与光芯片及上游材料产业链的相关企业包括：源杰科技、永鼎股份、仕佳光子、东山精密（索尔思）、长光华芯；

衬底材料环节涉及云南锗业、博杰股份；

硅光芯片环节涵盖卓胜微、燕东微。

风险提示：产能释放进度不及预期；技术迭代受阻。