三星HBM4E良率达70%。三星电子在全球首家实现第六代高带宽存储器（HBM4）量产后，如今在第七代HBM4E以及下一代DRAM开发方面也取得了显著成果。三星电子首席技术官兼半导体研究中心负责人宋载赫（Song Jai Hyuk）近日在内部管理说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率（良品率）已提升至70%以上，而下一代10纳米级第七代（D1d）DRAM工艺已获得领先竞争对手的优势。在此基础上，三星电子预计将进一步加速强化下一代AI存储器竞争力的努力。这是要全力冲刺HBM霸主地位。