记忆体价格暴涨数百%，Tim Cook称之为「百年一遇的洪水」图中呈现DRAM记忆体与NAND储存晶片自2023年第一季以来的价格变化幅度，以每GB平均价格计算。2023年至2025年初，两者价格涨幅相对温和，但进入2026年后急速攀升，DRAM涨幅已逼近900%，NAND涨幅也超过500%，且2026年第三季后的数据仍属预估值，显示涨势尚未终止。从产业影响面来看，DRAM与NAND是现代电子产品的核心元件，涵盖资料中心、智慧型手机、笔记型电脑、游戏主机等几乎所有需要记忆体与储存功能的装置。当这两类晶片价格在短时间内暴涨数百个百分点，相关产品的制造成本将大幅攀升，最终压力往往会转嫁至终端消费者。展望后市，TechInsights的预估显示DRAM价格仍将持续走高，而NAND则可能在高档略为回落趋稳。这波记忆体涨价潮背后，AI伺服器对高频宽记忆体（HBM）的庞大需求是主要推手之一，供需结构短期内难以快速改善，市场需持续关注价格走势对科技产业整体获利能力的连锁影响。