【半导体设备】据韩媒体报道，中国长鑫存储(CXMT)目前正在合肥测试一条键合DRAM试点生产线，旨在不使用EUV光刻技术的情况下实现高性能DRAM。键合DRAM是一种将存储单元阵列和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后将其键合在一起的技术。这种方法仅使用深紫外(DUV)光刻结合多重曝光技术即可生产超高密度DRAM，从而摆脱了对EUV设备的依赖。三星电子正在通过“B1b”项目开发自己的键合DRAM，而SK海力士也在研发类似技术。然而，韩国媒体警告称，有评估认为长鑫存储目前在技术本身和研发速度上，可能都领先于其韩国竞争对手。