韩国媒体报道称，长鑫存储（CXMT）在合肥测试键合 DRAM 试点产线的核心目标是：在不使用 EUV 光刻设备的情况下，实现高性能、超高密度 DRAM 的量产。

技术原理：键合 DRAM 将存储单元阵列和外围电路分别在两片晶圆上制造，再通过晶圆键合技术整合。此举允许仅使用成熟的 DUV（深紫外）光刻配合多重图形化工艺，即可生产高密度芯片，从而规避对昂贵且受限的 EUV 设备的依赖。

战略意图：该路径旨在突破外部设备限制，加速技术迭代。有评估认为，长鑫存储在此项技术的开发速度上可能已领先于三星、SK 海力士等韩国竞争对手，并制定了比韩国企业更快实现商业化的目标。

行业背景：三星（B1b 项目）和 SK 海力士均在推进类似技术，但长鑫存储的进展被视为存储半导体领域的“游戏规则改变者”。