7.07周二晚间六大赛道信息深度汇总

1. 算力（AI智算、国产算力、HBM主线）

政策端重磅信号

1. 瞭望智库7日晚间发布产业研讨纪要，明确国产算力自主可控为长期国家战略，提出将算力芯片纳入首台套、首批次材料政策补贴，重点扶持软件工具链、国产加速卡生态完善，短期正视国内外代差，走应用迭代、差异化架构突围路线。

2. 工信部《人工智能+信息通信2026-2028实施意见》落地进入执行期，新建智算中心硬性要求硬件国产化考核，液冷机房、CPO、1.6T高速光模块列为核心底座；三大运营商算力资本开支逆势大增，移动算力投资同比+62.4%、电信+26%，7月进入服务器、光设备集中集采交付周期，上游厂商逐步确认半年报营收增量。

3. 全国多地算力券补贴落地，广东、江苏、湖南等省份单企业年度最高补贴1000万，倾斜国产算力采购，降低中小企业大模型训练成本，加速AI行业渗透。

产业供需与国产化数据

1. 彭博7日调研数据：国内企业AI加速器采购中，国产芯片占比已达30%，机构预判12个月内提升至46%；英伟达H20供货持续收紧，华为昇腾、海光DCU、寒武纪、壁仞等国产算力批量进入金融、制造、互联网头部企业试点，全国一体化算力网络五年规划投入约2万亿，核心芯片国产化供给目标超80%。

2. HBM供给极度紧缺：全球月产能仅32.6万片，三星、海力士、美光产能接近饱和，AI服务器需求持续爆发带动存储芯片涨价；三星二季度财报预期营业利润同比暴涨17倍，核心增量来自HBM与服务器DRAM，机构上调算力链全行业半年报盈利预期。

3. 光通信配套：400G/800G骨干网升级推进，空芯光纤、超低损光纤国产替代提速，2026全球光纤供需缺口1.8亿芯公里，预制棒扩产周期18-24个月，量价上行周期延续至2027下半年。

盘面与资金

板块日内震荡回踩20日线支撑，近一月12家算力相关企业获机构加仓，7月短线止盈资金流出放缓，超卖状态显现，下跌动能减弱；先进封装作为算力配套分支跟随调整，中长期成长逻辑未破坏。

2. 可控核聚变（人造太阳、工程化落地拐点）

国内核心工程里程碑（7日晚间产业链集中解读6月底验收成果）

1. 国家重大设施CRAFT聚变堆主机核心部件完成全工况验收：582吨全球最大环向场超导磁体、高温超导中心螺管线圈全部通过极限测试，从原材料、加工、整机测试实现100%国产化，彻底打破海外超导材料、聚变装备垄断。

2. 官方明确清晰时间线：CRAFT整套设施2027年底全面建成，2030年实现聚变第一度电并网发电；对比国际ITER项目2039年才开展氘氚燃烧实验，我国工程落地进度全球领先，彻底改变“核聚变永远50年”市场认知。

3. 多装置迭代进度：EAST东方超环保持亿度千秒级稳态运行纪录，环流三号2027年启动聚变点火燃烧实验；商业端能量奇点“洪荒70”实现全球民营企业最长1337秒等离子体运行，商业化验证加速。

海外产业与资本动态

1. 美国发布新版聚变路线图，目标2030年代建成示范电站，Helion能源完成4.65亿美元G轮融资，投后估值155亿美元；英、美同步加大聚变超导磁体、特种金属材料研发补贴。

2. 中俄签署核聚变技术合作备忘录，互补等离子体理论与工程制造优势，全球聚变产业从单一实验室阶段转向产业链投资周期。

赛道逻辑变化

此前市场仅将核聚变视为远期题材，本次全链条国产化验收落地，打通超导线材、特种真空设备、耐高温金属、氚增殖材料整条产业链；资金开始重视上游超导、特种不锈钢、精密真空零部件标的，短期催化密集，中长期具备持续政策投入支撑。

3. 半导体设备（硅片涨价、设备国产化、先进制程扩产）

7日盘面核心催化：12英寸大硅片进入新一轮涨价周期

1. 收盘板块集体大涨：有研硅20cm涨停、TCL中环10cm封板、上海合晶涨超15%，沪硅产业、立昂微同步走强；全球头部硅片厂商统一发布三季度调价通知，12英寸硅片报价上调，国内厂商将全面跟进，涨价红利从制造端向上游材料传导。

2. 功率硅片先行涨价：立昂微7月1日起功率芯片用硅片上调10%-15%，当前硅片出货满载、订单排产饱满，重掺杂衬底产品供需缺口明显。

设备端行业信息

1. 国内12寸晶圆厂扩产持续落地，刻蚀、薄膜、清洗设备国产替代率稳步提升；先进封装配套设备需求随HBM产能扩张持续放量，TSV通孔设备订单饱满。

2. 供需周期反转：2025年全球半导体设备资本开支低迷，2026年AI算力、存储芯片扩产带动设备采购回暖，海外设备交付周期拉长，国内厂商抢占中小晶圆厂、特色工艺产线份额。

3. 配套材料联动：硅片涨价带动抛光液、硅靶、高纯试剂需求同步上行，半导体材料-设备产业链进入量价齐升通道。

4. 隔膜（锂电湿法/干法、储能需求、价格周期）

行业基本面晚间梳理

1. 下游需求分化：新能源车国内产销稳步修复，海外欧洲、东南亚储能装机持续高增；储能大电芯偏好高安全性干法隔膜，动力电池湿法隔膜仍为主流，头部企业双线扩产。

2. 价格周期底部企稳：经过持续一年产能过剩价格下行，当前中小隔膜厂减产、停产增多，行业供给出清加速；头部企业通过涂覆隔膜、超薄隔膜差异化提升盈利，涂覆加工费保持稳定溢价。

3. 技术迭代主线：3μm、2.5μm超薄隔膜量产渗透提速，适配高能量密度动力电池；陶瓷涂覆、PVDF涂覆隔膜适配储能长循环需求，成为企业利润核心增量。

4. 产能结构：新增产能集中于头部龙头，中小厂商缺乏资金扩产高端涂覆产线，行业集中度持续提升；海外建厂需求增加，规避海外贸易关税壁垒。

短期催化

半年报业绩分化，具备储能隔膜、海外产能布局的龙头企业亏损收窄或实现盈利修复；锂电产业链整体库存去化接近尾声，上游锂价企稳带动中游材料订单回暖，隔膜订单环比改善。

5. 功率/碳化硅电源（第三代半导体、6寸产能出清、8/12寸升级）

7日晚间核心公告：露笑科技重磅公告催化板块逻辑

公司发布董事会决议，终止12.17亿元6英寸碳化硅募投项目，资金永久补充流动资金，核心原因两点：

1. 6英寸衬底严重供大于求：2025全球产能400万片，需求仅250万片，价格持续暴跌，海外Wolfspeed、意法半导体减产重组；

2. 行业技术迭代加速，赛道核心转向8英寸、12英寸导电型碳化硅衬底，6英寸产品逐步被新能源汽车、储能、服务器电源淘汰。

产业供需与技术路线

1. 板块7日收盘微涨0.79%，资金小幅净流入2106万；芯朋微、奔朗新材、天岳先进涨幅居前，市场资金重新聚焦可量产8/12寸衬底、垂直整合全产业链企业。

2. 需求端：新能源车主逆变器、光伏逆变器、AI服务器高压电源、储能变流器四大场景持续拉动碳化硅器件需求，高压SiC电源模组渗透率逐年提升。

3. 企业进展：三安光电12寸碳化硅衬底送样验证，国内多家厂商8英寸实现小批量供货；6英寸老旧产线逐步关停，行业产能结构性出清，长期利好头部技术领先企业。

4. 风险点：短期6英寸价格持续承压，中小衬底厂商亏损扩大；海外厂商降价竞争压制国内器件盈利，行业盈利拐点取决于8寸产能规模化落地进度。

6. 六氟化钨（WF₆，半导体核心特气，全年最强供需催化）

核心事件导火索（7日晚间产业链纪要核心）

1. 供给端重大缺口：日本关东电化、中央硝子自7月1日起永久停产六氟化钨，两家合计占据全球25%产能；停产根源为高纯钨粉高度依赖中国，国内钨相关原料出口管制收紧，海外厂商无法稳定获取原材料，库存耗尽后无复产可能。

2. 全球供需测算：全球年总需求约9000吨，日本退出后直接形成2000吨年度供给缺口；三星、SK海力士此前80%货源来自日本，现有库存仅能支撑至8月，HBM、3D NAND先进产线存在停工风险。

价格与国产替代进展

1. 现货价格暴涨：6N级六氟化钨现货单价突破350万元/吨，高端7N级达到500-1000万元/吨，较去年同期涨幅数倍，涨价周期至少延续至2027年国产新产能投产。

2. 国内企业产能与认证：中船特气现有2000吨7N级认证产能，已通过三星、中芯、长鑫认证，批量供应海外HBM产线；Q3新增300吨产能集中释放，2027年新建1000吨项目投产；昊华科技加速三星第二供应商认证，分散海外大厂供货风险。

3. 需求逻辑刚性不可替代：六氟化钨是先进制程、HBM硅通孔TSV、300层以上3D NAND薄膜沉积唯一成熟前驱体气体，无低成本替代方案；AI算力扩张、存储芯片堆叠升级持续提升单片晶圆消耗量，需求持续上行。

业绩弹性

国产头部特气企业单品毛利率接近50%，产能释放叠加持续涨价，下半年业绩增量确定性极强；机构将六氟化钨列为半导体材料下半年第一高弹性细分赛道。

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