AI算力扩产周期‑金铲子产业链完整清单（信息仅供参考，不构成投资建议）整体资本开支划分：晶圆厂&封测厂扩产总投入，设备55%、零部件15%、材料30%；分为四大板块：（存储HBM）、（高速光模块）、（先进封装）、（国产AI芯片）。一、存储芯片（DRAM‑HBM）扩产整体投入结构：设备55%，零部件14%，材料31%1、半导体设备（占整体扩产投入55%，设备内部金额占比+标的）1. 光刻设备35%：上海微电子；2. 刻蚀设备20%：北方华创、中微公司；3. 薄膜沉积设备15%：拓荆科技、北方华创；4. 量测检测设备12%：精测电子、长川科技；5. 清洗、CMP、离子注入设备合计18%：盛美上海、华海清科、万业企业。2、核心零部件（占整体扩产投入14%）汉钟精机；富创精密、英杰电气；珂玛科技江苏雷利；神工股份3、半导体材料（占整体扩产投入31%）1. 硅：沪硅产业、立昂微、神工股份、有研硅；2. 电子特气（高纯氦气、氟气）13%：华特气体、九丰能源、蜀道装备（受益氦气出口管制）；3. 光掩模版12%：清溢光电；4. CMP抛光液/抛光垫7%：安集科技、鼎龙股份；5. 光刻胶及配套试剂5%：南大光电、晶瑞电材；6. 靶材、湿电子化学品24%：江丰电子、江化微。二、高速光模块扩产（中际旭创1.6T‑3.2T，整机BOM成本）整机成本结构：零部件60%，材料32%，生产设备8%1、核心零部件（整机成本60%，内部占比+标的）1. DSP高速电芯片45%：澜起科技；2. EML高速光芯片（磷化铟基）35%：源杰科技、三安光电、光迅科技 东山精密；3. TOSA/ROSA光组件12%：天孚通信、中际旭创；4. 连接器、隔离器8%：太辰光。2、上游基础材料（整机成本32%）1. 磷化铟（InP）衬底41%：云南锗业（核心龙头）、先导基电；2. 砷化镓衬底22%：天通股份；3. 光纤、特种树脂、金属外壳37%：亨通光电、东材科技。3、生产设备（整机成本8%）高速耦合封装、老化测试设备：博杰股份、科瑞技术、中泰股份。三、先进封装扩产（华天科技2.5D‑3D‑HBM封测产线）扩产投入结构：封测设备52%，零部件13%，封装材料35%1、封测设备（扩产投入52%，内部占比+标的）1. Hybrid‑Bond铜‑铜键合设备38%：新益昌、快克智能；2. 固晶机、点胶设备24%：长川科技、奥特维；3. 晶圆切割、测试设备22%：华峰测控、精测电子；4. 清洗设备16%：盛美上海。2、零部件（扩产投入13%）高精度运动平台、真空组件、光学镜头：中科科仪、大族激光；富创精密（真空腔体模组）、珂玛科技（陶瓷隔热组件）、神工股份（高纯硅隔离件）同步导入封测设备供应链。3、封装材料（扩产投入35%，内部占比+标的）1. ABF载板+硅中介层34%：深南电路、兴森科技（HBM第一耗材）；2. HBM高导热环氧材料22%：德邦科技、联瑞新材、雅克科技；3. 焊球、导电胶、干膜、光刻胶44%：飞凯材料、壹石通、宏昌电子。四、国产AI芯片扩产（寒武纪GPU，中芯国际代工）扩产投入结构：设备56%，零部件14%，材料30%1、设备（占投入56%，内部占比+标的）光刻设备28%、刻蚀设备24%、薄膜沉积23%、检测设备14%、其余11%；龙头：北方华创、中微公司、拓荆科技、芯源微。2、零部件（占投入14%，新增标的集中落地）射频组件、真空部件、精密温控部件：汉钟精机、英杰电气；富创精密、珂玛科技、神工股份。3、材料（占投入30%，内部占比+标的）硅片35%、电子特气15%、光刻胶12%、靶材8%、CMP材料7%、湿化学品23%；龙头：沪硅产业、华特气体、南大光电、江丰电子、安集科技。五、算力扩产赛道体量排序1. 半导体前道设备（权重41%，体量最大）：北方华创、中微公司、盛美上海；最先落地订单，业绩弹性最高；2. 半导体设备零部件（权重29%，国产替代弹性最强）- 富创精密：平台型精密金属零部件龙头，受益全部晶圆厂扩产；- 珂玛科技：先进陶瓷零部件龙头，加热器、静电卡盘进入设备厂商核心供应链；- 神工股份：刻蚀硅耗材龙头，存储扩产带动高频耗材持续消耗；配套：沪硅产业、华特气体、云南锗业、深南电路，耗材持续消耗，贯穿扩产全程；3. 高速光芯片‑DSP零部件（权重16%）：源杰科技、天孚通信、澜起科技，涨价叠加扩产双重红利；4. 封测设备+封装材料（权重14%）：德邦科技、兴森科技、新益昌，跟随HBM产能放量兑现收益。股市股票a股A股