【GSDZ】存储接下来的确定性机会——SCM及配套芯片!
1、什么是SCM:存储级内存,融合了内存的低延迟、高带宽特性和闪存的大容量、持久化特性,使用的存储颗粒特性位于传统内存介质与闪存介质(如TLC NAND Flash)之间,弥合两者之间的性能与成本鸿沟;
2、为什么要推:原因很简单,面向向量数据库、GNN 等负载,数据规模已经从 1B 向 10B–100B 甚至 1T 向量发展(来源 NV 2026 GTC PPT),如果爆炸的存储需求增长下,用HBM/DRAM首先产能不够、其次太贵!用TLC/QLC面临擦写次数和IOPS硬伤!
3、谁在推SCM:英特尔(傲腾+3D XPOINT,生不逢时)、NV(Storage-Next,CMX上下文存储层)、铠侠( XL-FLASH)、三星(Z-NAND)、长存、江波龙、大普微、新存科技(相变存储PCM);
4、利好哪些环节:SLC NAND、MLC NAND、PCM以及配套芯片SSD controller、VPD等,未来e SSD controller除 Flash 管理外,还需要安全加密、数据预处理\向量检索加速甚至轻量级AI加速模块。
重点看好SSD controller及VPD的国产化机会——联芸科技、聚辰股份、大普微!
机构观点,仅供参考!!
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