长鑫科技敲钟现场长鑫上市前，高盛紧急开会：一场电话会透露中国DRAM的扩张路线图

长鑫科技登陆科创板，上市首日涨幅超过465%。股价表现固然惊人，真正值得关注的，是其背后正在加速成形的中国DRAM产业体系。

就在长鑫上市前三天，高盛组织了一场中国存储产业专家电话会。参会专家曾在三星电子任职18年，随后担任长鑫存储高级总监，对全球存储周期、长鑫经营状况及产品路线具有较深了解。整场电话会释放出三条关键信号：长鑫的市场份额正在快速提升，未来产能可能翻倍，高端存储与国产设备将成为下一轮突破重点。

电话会信息显示，今年一季度，长鑫在全球DRAM市场的收入份额已经达到8%，单季收入同比增长719%。如此高的增速，既来自自身产能和产品结构的改善，也受益于全球存储供给格局的变化。

随着人工智能服务器大量采购HBM，三星、SK海力士、美光等国际厂商不断把晶圆资源转向利润更高的高带宽存储，传统DRAM供给随之收紧。消费电子和通用计算领域仍需要大量DDR产品，供需错配推动价格上涨，也为长鑫扩大出货、改善盈利创造了难得窗口。

更大的变化来自产能。

按照专家判断，到2030年，中国头部DRAM企业的产能可能较当前水平增长一倍以上。合肥、上海、北京三地的新产能预计在2028年前陆续释放，后续超大型生产基地还将进一步抬高国产DRAM的供给上限。

产能扩张同时意味着数百亿元乃至更大规模的设备、材料和零部件采购需求。部分新建产线除光刻机外，已经开始大比例采用国产设备。北方华创、中微公司、盛美上海等企业因此获得更广阔的验证和订单空间。

对国产设备行业而言，最有价值的变化在于“扩产”和“替代”同时发生。晶圆产能持续增加，带来设备采购总量增长；国产化率不断提升，又让本土厂商获得更高份额。即使单一产品的研发节奏出现波动，设备国产化的长期方向依然清晰。

技术层面，长鑫接下来需要跨越的关键关口是HBM。

按照电话会披露的目标，国产HBM3及HBM3E计划在2026年推进量产。受EUV光刻设备限制，国内企业需要更多依靠DUV多重曝光、工艺优化、先进封装以及3D DRAM等技术路线完成突破，专家预计3D DRAM可能在2027年前后取得重要进展。

当然，HBM的难度远高于普通DRAM。它不仅考验存储晶圆性能，还涉及硅通孔、晶圆堆叠、先进封装、散热设计和整体良率。长鑫目前在产品速度、良率和高端客户验证方面，与三星、SK海力士等国际龙头仍有距离。2026年的量产目标代表着明确的进攻方向，最终进展仍要观察产品性能、量产良率及客户导入情况。

价格方面，存储市场可能逐步从快速上涨转向高位运行。智能手机厂商对成本上涨的承受能力有限，预计今年三、四季度DRAM涨价幅度将有所收窄；AI服务器需求依然旺盛，海外龙头短期内也缺乏把HBM产能重新转回传统DRAM的动力，2027年存储价格仍有较强支撑。

随着供应商与客户增加长期合同，DRAM价格波动可能有所降低。对于长鑫而言，这意味着未来增长动力有望从单纯依靠价格上涨，逐渐转向产能释放、产品升级与市场份额提升。

长鑫上市的深层意义，由此变得清晰：中国DRAM已经从实验室突破和小规模替代，进入产能扩张、盈利兑现与高端技术攻坚同步推进的新阶段。它所带动的也将是一条完整产业链，覆盖半导体设备、材料、零部件、晶圆制造、先进封装、IP以及芯片设计。

需要说明的是，产能翻倍、HBM量产和3D DRAM突破等时间表主要来自专家判断，不能直接视为公司的正式业绩承诺。存储行业具有明显周期性，扩产节奏、产品良率、价格变化和外部限制都会影响最终结果。

但有一点已经越来越明确：在全球AI推动存储产业重新分配资源的过程中，中国DRAM第一次获得了同时扩大产能、提升份额和建立国产供应链的战略窗口。长鑫上市只是起点，未来几年能否把资本优势转化为技术优势和全球竞争力，才是这场国产存储突围真正的核心。梁文锋打新长鑫科技浮盈8.27亿阿里投资长鑫浮盈1600亿元合肥国资持股长鑫市值超1万亿