耗时20年，又一项半导体元件冲破国际封锁，实现全球遥遥领先

　　在被国外垄断长达二十年的第三代半导体领域，我国科研团队攻坚克难，成功攻克困扰全球二十年的氮化镓芯片核心散热难题。这项关键技术的突破，彻底打破欧美长达二十年的技术封锁，直接实现全球反超、遥遥领先，站稳世界顶尖水平。
　　氮化镓是第三代半导体最核心的元器件，广泛使用在军工雷达、5G通信基站、新能源汽车电控等重要领域，属于高新产业与国防建设必不可少的关键材料。长久以来，散热问题是这一类半导体元器件最大的短板。芯片内部晶体生长界面凹凸不平，工作产生的热量堆积在里面散不出去，二十年以来，欧美日众多科研机构反复试验，一直找不到解决办法。高温会让设备性能下降，元器件还容易烧坏，也让我们的大功率半导体产业发展受到很大限制。
　　研发团队研发出全新的工艺技术，理顺了晶体的生长排列方式，做到了原子级的平整界面，给芯片打通了散热通道。经过改良之后，芯片热阻明显下降，器件输出功率比国际最高水准高出三成以上，研究成果也刊登在国际权威期刊，获得了国际业界的认可。
　　这项技术有着十分广阔的应用前景。在国防方面，雷达不用改变体积，探测距离更远、分辨能力更强；通信行业里，5G以及未来的6G基站耗电量变少，覆盖范围更大，可以省下大量运营开支；放到老百姓生活中，新能源车的控制芯片不再严重发热，车子续航能力有所提升，各类电子产品运行也会更加稳定。
　　近些年西方国家不断设置技术壁垒，封锁高端半导体材料与工艺，靠着垄断把小小的元器件卖出高价，赚取巨额利润。层层限制并没有拦住国内科研工作者，大家潜心钻研，接连破解一个又一个卡脖子难题。我们拥有完整的工业体系，庞大的市场支撑技术迭代，再加上源源不断的科研人才，第三代半导体产业从跟跑慢慢转向并跑，朝着领跑的方向稳步前进。
　　过去我们在高科技领域常常受制于人，这样的局面正在慢慢转变。随着一项项自主技术量产落地，全世界半导体格局将会重新洗牌。就像高铁、新能源汽车、5G技术一样，国产半导体终将成为一张闪亮的中国名片，走向世界各地。图来自网络