半导体设备，国产替代空间巨大

半导体设备是战略价值极高的上游环节，只有实现高端半导体设备自主，才能确保AI产业链安全。 1、半导体设备三大核心环节，未来国产替代空间大 半导体设备分为前道（晶圆制造）和后道（封测）；薄膜沉积、光刻和刻蚀三大前道环节技术壁垒高，国产替代空间最大。 薄膜沉积设备在基底上沉积材料，决定了电路图形的转移质量。全球市场此前由应用材料、泛林半导体、东京电子、阿斯麦主导。国产设备已进入从28nm向14nm以下突破的关键期。 光刻设备负责从原材料到成品的多个关键步骤，是图案转移的核心。主要供应商是阿斯麦、佳能、尼康。据The Information、CNBC，近期国产光刻实现从0到1突破，浸没式DUV光刻机启动生产，覆盖28nm以上成熟制程，意义重大。 成熟制程芯片构成产业基石，广泛应用于存储芯片、功率半导体、物联网芯片、汽车芯片等，按晶圆产能计，28nm及以上成熟制程占全球晶圆代工市场近80%，中国成熟制程产能已占全球约三成，成为重要供给地之一。 刻蚀设备将光刻胶上的图形转移到晶圆下层材料上。由泛林半导体、东京电子、应用材料三巨头主导。刻蚀设备是国产化进度最快赛道，中微公司介质刻蚀技术突破。 2、半导体设备是“工业明珠”，需要全产业链可控 EUV光刻是国产化重心，分三大环节。 一是EUV光源上，国产已完成光源研发的实验室级技术突破，能量转换效率正在向商用标准对齐。 二是光学系统，技术壁垒极高，被蔡司垄断，国内在28nm级别光学系统上已有突破，但EUV级需要长期积累。 三是整机集成，光刻机集成的是全球顶尖工业技术，不仅是单点技术突破，更考验全产业链的自主可控。国产化已有原理样机落地，量产还需整套自主供应链成熟。 3、国产芯片爆发，未来看半导体设备 过去十几年，中国制造业都复刻了相似的成长逻辑：只要打通从0到1的技术关口，依托庞大本土市场、持续学习、规模化迭代，就能不断缩小差距，最终完成从1到N的爆发。 这是AI中国力量的机会，半导体、存储、光刻设备赛道，只要给机会，国产设备将越用越强。 2024年9月最早预测“信心牛，科技牛”。AI科技是康波周期量级，不是风口，是海啸，十年向上趋势，未来两大波机会：卖铲子-超级应用。AI科技的前途是光明的，我国发展新质生产力的战略是坚定不移的，对未来充满信心。 以上仅为研究观点，并非投资建议。不加杠杆，坚持长期主义。