存储材料逻辑重构！钼替代钨从可选升级为必选

8月23日，权威机构SemiAnalysis重磅定调：3D NAND堆叠突破300层后，传统钨字线因电阻偏高、氟基工艺漏电、深孔填充困难，已经触达技术瓶颈。

而钼具备低电阻、无氟工艺、高深孔填充效果优异的优势，正式从可选改良，升级为300层以上高端NAND制造的必选材料，属于不可逆的技术迭代，存储材料底层逻辑迎来重构。

谈谈核心判断：1、早在6月，SK海力士375层 3D NAND已完成验证，全面切换钼替代钨，当时带动钼板块强势行情。此次海外权威机构再次盖章确认，意味着该技术路线得到全行业认可，对钼板块形成强情绪催化。2、目前钼替代钨仅应用在超高层3D NAND领域，逻辑芯片、DRAM依旧以钨材料为主，半导体端钼的整体用量偏小，短期对企业业绩拉动有限。3、短期来看，钼依旧以题材炒作、预期行情为主；长期维度，凭借性能与成本双重优势，钼替钨是确定性产业趋势，只是其他存储产品的规模化落地，仍需等待技术持续迭代突破。